Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 21

Фильтры товаров
Тип транзистора
Напряжение коллектор-эмиттер
Топология
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Корпус
Тип модуля
Монтаж
Ток коллектора в импульсе
Производитель
Код производителяAPTGLQ300A120G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ300A120G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяAPTGLQ300H65G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ300H65G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 650В; Ic: 300А" 1.

Код производителяAPTGLQ300SK120G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ300SK120G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А" 1.

Код производителяAPTGLQ30H65T3G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ30H65T3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP3F" 1.

Код производителяAPTGLQ400A120T6G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ400A120T6G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяAPTGLQ40DDA120CT3G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ40DDA120CT3G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper x2,термистор NTC" 1.

Код производителяAPTGLQ40H120T1G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ40H120T1G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP1" 1.

Код производителяAPTGLQ40HR120CT3G Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ40HR120CT3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяAPTGLQ50DDA65T3G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ50DDA65T3G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper x2,термистор NTC" 1.

Код производителяAPTGLQ50H65T1G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ50H65T1G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP1" 1.

Код производителяAPTGLQ50H65T3G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ50H65T3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP3F" 1.

Код производителяAPTGLQ50TL65T3G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ50TL65T3G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

Код производителяAPTGLQ50VDA65T3G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ50VDA65T3G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper x2,термистор NTC" 1.

Код производителяAPTGLQ600A65T6G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ600A65T6G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Код производителяAPTGLQ75H120T3G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
25 978.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ75H120T3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP3F" 1.

Код производителяAPTGLQ75H120TG Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ75H120TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP4" 1.

Код производителяAPTGLQ75H65T1G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ75H65T1G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP1" 1.

Код производителяAPTGLQ80HR120CT3G Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ80HR120CT3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяAPTGT100A120T3AG Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
25 431.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT100A120T3AG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x2,термистор NTC; SP3" 1.

Код производителяAPTGT100A120TG Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
26 642.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT100A120TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Хиты продаж