Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 29

Производитель
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF1.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD20PJX65F1S
6 569.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD20PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 20А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD20PJX65L2S
6 476.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD20PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 20А" 1.

Конструкция диодаобщий вход, транзистор/транзистор КорпусC3 130mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD2400SGY120C3S
70 015.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD2400SGY120C3S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход; Urmax: 1200В" 8.

Конструкция диодаобщий вход, транзистор/транзистор КорпусC4 140mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD2400SGY120C4S
88 222.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD2400SGY120C4S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход; IGBT x3; винтами" 8.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF2.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD25PJY120F2S
6 156.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD25PJY120F2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 25А" 25.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF5.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD25PJY120F5S
6 288.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD25PJY120F5S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 25А" 25.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD25PJY120L3S
6 682.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD25PJY120L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 25А" 11.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300HFU120C2S
19 521.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD300HFU120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 12.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300HFX170C2S
21 960.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD300HFX170C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 12.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300HFX170C6S
23 650.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD300HFX170C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 10.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300HFX65C2S
13 308.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD300HFX65C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 12.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300HFX65C6S
15 110.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD300HFX65C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 10.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC8 48mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300HFX65C8SN
10 267.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD300HFX65C8SN, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 16.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300HFY120C2S
15 973.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD300HFY120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 12.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300HFY120C6S
17 663.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD300HFY120C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 10.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC7 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300HTY120C7S
51 431.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD300HTY120C7S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 300А" 8.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300SGY120C2S
11 600.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD300SGY120C2S, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор" 12.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF1.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD30PJX65F1S
5 198.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD30PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 30А" 25.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD30PJX65L2S
6 099.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD30PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 30А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF2.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD35PJY120F2S
7 114.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD35PJY120F2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 35А" 25.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж