Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 29

Фильтры товаров
Тип транзистора
Напряжение коллектор-эмиттер
Топология
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Корпус
Тип модуля
Монтаж
Ток коллектора в импульсе
Производитель
Код производителяAPTGT75DDA60T3G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT75DDA60T3G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper x2,термистор NTC" 1.

Код производителяAPTGT75DH120T3G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT75DH120T3G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; асимметричный мост,термистор NTC" 1.

Код производителяAPTGT75DU120TG Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT75DU120TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2; SP4" 1.

Код производителяAPTGT75H120TG Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT75H120TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP4" 1.

Код производителяAPTGT75H60T1G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT75H60T1G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP1" 1.

Код производителяAPTGT75H60T3G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT75H60T3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP3" 1.

Код производителяAPTGT75SK120TG Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT75SK120TG, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор NTC; SP4" 1.

Код производителяAPTGT75TA120PG Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP6P Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT75TA120PG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 75А" 1.

Код производителяAPTGT75TDU120PG Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSP6P Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT75TDU120PG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x6; SP6P" 1.

Код производителяAPTGT75TDU60PG Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSP6P Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT75TDU60PG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x6; SP6P" 1.

Код производителяAPTGT75TL60T3G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT75TL60T3G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

Код производителяAPTGT75X60T3G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT75X60T3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

Код производителяAPTGTQ100A65T1G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGTQ100A65T1G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Код производителяAPTGTQ100DA65T1G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGTQ100DA65T1G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор NTC; SP1" 1.

Код производителяAPTGTQ100DDA65T3G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGTQ100DDA65T3G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper x2,термистор NTC" 1.

Код производителяAPTGTQ100H65T3G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
25 097.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGTQ100H65T3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP3F" 1.

Код производителяAPTGTQ100SK65T1G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGTQ100SK65T1G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор NTC; SP1" 1.

Код производителяAPTGTQ150TA65TPG Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP6P Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGTQ150TA65TPG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 90А" 1.

Код производителяAPTGTQ200A65T3G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
25 097.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGTQ200A65T3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Код производителяAPTGTQ200DA65T3G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGTQ200DA65T3G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор NTC; SP3F" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Хиты продаж