Транзисторы и модули IGBT

Производитель

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

0.0
GD75MLX65L3S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75MLX65L3S
10 475 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD75MLX65L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

0.0
GT15J341
Вид упаковкитуба Время включения180нс Время выключения320нс КорпусTO220FP МонтажTHT
‍326‍ 
Доступность: 189 шт.
+

Минимальное количество для товара "GT15J341,S4X(S, Транзистор: IGBT; 600В; 15А; 30Вт; TO220FP" 1.

0.0
GT20J341
Вид упаковкитуба Время включения0,2мкс Время выключения370нс КорпусTO220FP МонтажTHT
‍547‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GT20J341,S4X(S, Транзистор: IGBT; 600В; 11А; 45Вт; TO220FP" 1.

0.0
GT30J121Q
Вид упаковкитуба Время включения240нс Время выключения430нс КорпусTO3PN МонтажTHT
‍610‍ 
Доступность: 11 шт.
+

Минимальное количество для товара "GT30J121(Q), Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 170Вт; TO3PN" 1.

0.0
GT40QR21
Вид упаковкитуба Время включения0,3мкс Время выключения0,6мкс КорпусTO3PN МонтажTHT
‍929‍ 
Доступность: 238 шт.
+

Минимальное количество для товара "GT40QR21(STA1,E,D, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 35А; 230Вт; TO3PN" 1.

0.0
GT40WR21
Вид упаковкитуба Время включения950нс Время выключения570нс КорпусTO3PN МонтажTHT
2 226 
Доступность: 13 шт.
+

Минимальное количество для товара "GT40WR21,Q(O, Транзистор: IGBT; 1,8кВ; 40А; 375Вт; TO3PN" 1.

0.0
GT50JR21
Вид упаковкитуба Время включения430нс Время выключения720нс КорпусTO3PN МонтажTHT
‍874‍ 
Доступность: 196 шт.
+

Минимальное количество для товара "GT50JR21(STA1,E,S), Транзистор: IGBT; 600В; 49А; 230Вт; TO3PN" 1.

0.0
GT50JR22
Вид упаковкитуба Время включения250нс Время выключения330нс КорпусTO3PN МонтажTHT
1 065 
Доступность: 138 шт.
+

Минимальное количество для товара "GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN" 1.

0.0
HFGM100D12V1-HUA
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В Обозначение производителяHFGM100D12V1
9 270 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "HFGM100D12V1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
HFGM150D12V3-HUA
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV3 62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В Обозначение производителяHFGM150D12V3
14 618 
Доступность: 5 шт.
+

Минимальное количество для товара "HFGM150D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
HFGM200D12V3-HUA
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV3 62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В Обозначение производителяHFGM200D12V3
15 331 
Доступность: 5 шт.
+

Минимальное количество для товара "HFGM200D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
HFGM300D12V3-HUA
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV3 62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В Обозначение производителяHFGM300D12V3
25 467 
Доступность: 7 шт.
+

Минимальное количество для товара "HFGM300D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
HFGM75D12V1-HUA
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В Обозначение производителяHFGM75D12V1
8 200 
Доступность: 10 шт.
+

Минимальное количество для товара "HFGM75D12V1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
HPFM-00117
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток30А Класс напряжения3,3кВ МонтажPCB Обозначение производителяHPFM-00117
67 567 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "HPFM-00117, Module: gate driver board; PCB; 3.3kV; 14.5÷16VDC; 15kHz; 30A" 1.

0.0
IFF450B12ME4PB11
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONOD-6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIFF450B12ME4PB11BPSA1
38 104 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IFF450B12ME4PB11BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
IFF600B12ME4PB11
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONOD-6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIFF600B12ME4PB11BPSA1
50 031 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IFF600B12ME4PB11BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
IGB10N60T
Вид упаковкитуба КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±20В Напряжение коллектор-эмиттер600В
‍229‍ 
Доступность: 1156 шт.
+

Минимальное количество для товара "IGB10N60TATMA1, Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 110Вт; D2PAK" 1.

0.0
IGB15N60T
Вид упаковкитуба КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±20В Напряжение коллектор-эмиттер600В
‍326‍ 
Доступность: 882 шт.
+

Минимальное количество для товара "IGB15N60TATMA1, Транзистор: IGBT; 600В; 15А; 130Вт; D2PAK" 1.

0.0
IGB20N60H3
Вид упаковкитуба КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±20В Напряжение коллектор-эмиттер600В
‍370‍ 
Доступность: 864 шт.
+

Минимальное количество для товара "IGB20N60H3ATMA1, Транзистор: IGBT; 600В; 20А; 170Вт; D2PAK" 1.

0.0
IGB30N60H3
Вид упаковкитуба КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±20В Напряжение коллектор-эмиттер600В
‍413‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IGB30N60H3ATMA1, Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 187Вт; D2PAK" 1.

0.0
IGB50N65S5ATMA1
Вид упаковкибобина, лента Время включения50нс Время выключения199нс Заряд затвора0,12мкC КорпусD2PAK
‍667‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IGB50N65S5ATMA1, Транзистор: IGBT; 650В; 63А; 135Вт; D2PAK" 1.

0.0
IGP06N60T
Вид упаковкитуба КорпусTO220-3 МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В Напряжение коллектор-эмиттер600В
‍280‍ 
Доступность: 40 шт.
+

Минимальное количество для товара "IGP06N60TXKSA1, Транзистор: IGBT; 600В; 6А; 88Вт; TO220-3" 1.

0.0
IGP10N60T
Вид упаковкитуба КорпусTO220-3 МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В Напряжение коллектор-эмиттер600В
‍263‍ 
Доступность: 163 шт.
+

Минимальное количество для товара "IGP10N60TXKSA1, Транзистор: IGBT; 600В; 18А; 110Вт; TO220-3" 1.

0.0
IGP15N60T
Вид упаковкитуба КорпусTO220-3 МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В Напряжение коллектор-эмиттер600В
‍348‍ 
Доступность: 64 шт.
+

Минимальное количество для товара "IGP15N60TXKSA1, Транзистор: IGBT; 600В; 23А; 130Вт; TO220-3" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (31)