Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 24

Фильтры товаров
Тип транзистора
Напряжение коллектор-эмиттер
Топология
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Корпус
Тип модуля
Монтаж
Ток коллектора в импульсе
Производитель
Код производителяAPTGT200A120G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT200A120G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяAPTGT200A170D3G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусD3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT200A170D3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Код производителяAPTGT200A60T3AG Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT200A60T3AG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x2,термистор NTC; SP3" 1.

Код производителяAPTGT200DA120D3G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусD3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT200DA120D3G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; D3" 1.

Код производителяAPTGT200DA120G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT200DA120G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; SP6C" 1.

Код производителяAPTGT200DA60T3AG Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT200DA60T3AG, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор NTC; SP3" 1.

Код производителяAPTGT200DH120G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT200DH120G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; асимметричный мост; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяAPTGT200DH60G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT200DH60G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; асимметричный мост; Urmax: 600В" 1.

Код производителяAPTGT200DU120G Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT200DU120G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2; SP6C" 1.

Код производителяAPTGT200DU60TG Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
24 699.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT200DU60TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2; SP4" 1.

Код производителяAPTGT200H120G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT200H120G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 200А" 1.

Код производителяAPTGT200H60G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT200H60G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 600В; Ic: 200А" 1.

Код производителяAPTGT200SK120G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT200SK120G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 200А" 1.

Код производителяAPTGT200SK60T3AG Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT200SK60T3AG, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор NTC; SP3" 1.

Код производителяAPTGT200TL60G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT200TL60G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

Код производителяAPTGT20H60T1G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
12 592.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT20H60T1G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP1" 1.

Код производителяAPTGT20TL601G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT20TL601G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

Код производителяAPTGT225A170G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT225A170G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Код производителяAPTGT225DU170G Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSP6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
81 709.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT225DU170G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2; SP6" 1.

Код производителяAPTGT225SK170G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT225SK170G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 225А" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Хиты продаж