Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 23

Производитель
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFD300R12KE3HOSA1
35 109.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FD300R12KE3HOSA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-34MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF100R12RT4HOSA1
13 788.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FF100R12RT4HOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 3.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF200R12KE3HOSA1
26 781.70 
Доступность: 4 шт.
 

Минимальное количество для товара "FF200R12KE3HOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF200R12KE4PHOSA1
25 922.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FF200R12KE4PHOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF200R12KT3EHOSA1
26 536.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FF200R12KT3EHOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF200R12KT4HOSA1
15 461.48 
Доступность: 21 шт.
 

Минимальное количество для товара "FF200R12KT4HOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF200R17KE4HOSA1
34 905.30 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "FF200R17KE4HOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF300R12KE3
30 407.70 
Доступность: 8 шт.
 

Минимальное количество для товара "FF300R12KE3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF300R12KS4
44 704.65 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "FF300R12KS4, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF300R12KT3EHOSA1
43 274.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FF300R12KT3EHOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF300R12KT4HOSA1
21 133.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FF300R12KT4HOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONOD-3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF300R17ME4BOSA1
35 763.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FF300R17ME4BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONOD-3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF450R06ME3
49 399.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FF450R06ME3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF450R12KE4HOSA1
47 847.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FF450R12KE4HOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF450R12KT4HOSA1
30 544.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FF450R12KT4HOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-XHP100-6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF450R33T3E3B5BPSA1
451 120.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FF450R33T3E3B5BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 3,3кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF500R17KE4BOSA1
42 082.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FF500R17KE4BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-PRIME2-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF900R12IE4
144 521.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FF900R12IE4, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Заряд затвора119нC МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В Напряжение коллектор-эмиттер650В Обозначение производителяFGA40N65SMD
925.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FGA40N65SMD, Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 174Вт" 1.

Заряд затвора72,2нC МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В Напряжение коллектор-эмиттер650В Обозначение производителяFGA40T65SHD
658.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FGA40T65SHD, Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 134Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж