Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 28

Фильтры товаров
Тип транзистора
Напряжение коллектор-эмиттер
Топология
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Корпус
Тип модуля
Монтаж
Ток коллектора в импульсе
Производитель
Код производителяAPTGT50SK120TG Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT50SK120TG, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор NTC; SP4" 1.

Код производителяAPTGT50SK170T1G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT50SK170T1G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор NTC; SP1" 1.

Код производителяAPTGT50SK170TG Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT50SK170TG, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор NTC; SP4" 1.

Код производителяAPTGT50TA60PG Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP6P Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT50TA60PG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 50А" 1.

Код производителяAPTGT50TDU170PG Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSP6P Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT50TDU170PG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x6; SP6P" 1.

Код производителяAPTGT50TDU60PG Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSP6P Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT50TDU60PG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x6; SP6P" 1.

Код производителяAPTGT50TL601G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT50TL601G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

Код производителяAPTGT50TL60T3G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT50TL60T3G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

Код производителяAPTGT50X60T3G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT50X60T3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 50А" 1.

Код производителяAPTGT600A60G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
79 714.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT600A60G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Код производителяAPTGT600DA60G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT600DA60G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 600А" 1.

Код производителяAPTGT600DU60G Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT600DU60G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2; SP6C" 1.

Код производителяAPTGT600SK60G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT600SK60G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 600В; Ic: 600А" 1.

Код производителяAPTGT600U120D4G Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусD4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT600U120D4G, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; D4" 1.

Код производителяAPTGT600U170D4G Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусD4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT600U170D4G, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 600А; D4" 1.

Код производителяAPTGT750U60D4G Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусD4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT750U60D4G, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 750А; D4" 1.

Код производителяAPTGT75A120T1G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT75A120T1G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяAPTGT75A60T1G Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT75A60T1G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Код производителяAPTGT75DA120TG Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT75DA120TG, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор NTC; SP4" 1.

Код производителяAPTGT75DA60T1G Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT75DA60T1G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор NTC; SP1" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Хиты продаж