Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 30

Производитель
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF5.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD35PJY120F5S
7 264.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD35PJY120F5S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 35А" 25.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD35PJY120L3S
9 441.33 
Доступность: 13 шт.
 

Минимальное количество для товара "GD35PJY120L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 35А" 1.

Конструкция диодаобщий вход, транзистор/транзистор КорпусC4 140mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD3600SGY120C4S
114 876.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD3600SGY120C4S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход; IGBT x3; винтами" 8.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD400CLY120C2S
15 580.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD400CLY120C2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1200В; Ic: 400А" 12.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD400CUY120C2S
15 580.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD400CUY120C2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В" 12.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD400HFU120C2S
20 460.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD400HFU120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 12.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD400HFX170C2S
39 229.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD400HFX170C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD400HFX65C2S
15 297.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD400HFX65C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 12.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD400HFY120C2S
17 889.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD400HFY120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 12.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD400SGU120C2S
18 076.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD400SGU120C2S, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор" 12.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD400SGX170C2S
17 250.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD400SGX170C2S, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор" 12.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD400SGY120C2S
13 083.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD400SGY120C2S, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор" 12.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD40PIY120C5S
13 157.93 
Доступность: 15 шт.
 

Минимальное количество для товара "GD40PIY120C5S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 40А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD450HFX170C6S
30 783.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD450HFX170C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 10.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD450HFX65C6S
18 038.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD450HFX65C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 10.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50FFX65C5S
11 825.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD50FFX65C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 50А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50FFY120C5S
14 172.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD50FFY120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 50А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусL2.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50FSX65L2S
6 869.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD50FSX65L2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 50А; L2.1" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50HFX65C1S
7 226.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD50HFX65C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50HHU120C5S
14 921.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD50HHU120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1200В; Ic: 50А" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж