Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 24

Производитель
Вид упаковкитуба Заряд затвора284нC КорпусTO3PN МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В
819.42 
Доступность: 71 шт.
 

Минимальное количество для товара "FGA60N65SMD, Транзистор: IGBT; 650В; 60А; 300Вт; TO3PN" 1.

Вид упаковкитуба Заряд затвора84нC КорпусTO3PN МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В
784.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FGA6560WDF, Транзистор: IGBT; 650В; 60А; 153Вт; TO3PN" 3.

Заряд затвора119нC КорпусTO3PF МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В Напряжение коллектор-эмиттер600В
859.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FGAF40N60SMD, Транзистор: IGBT; 600В; 40А; 58Вт; TO3PF" 1.

Вид упаковкитуба Заряд затвора150нC КорпусTO3PF МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В
1 207.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FGAF40N60UFDTU, Транзистор: IGBT; 600В; 20А; 40Вт; TO3PF" 1.

Заряд затвора77нC КорпусTO3PF МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В Напряжение коллектор-эмиттер600В
743.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FGAF40N60UFTU, Транзистор: IGBT; 600В; 20А; 40Вт; TO3PF" 1.

Заряд затвора63нC КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±20В Напряжение коллектор-эмиттер600В
826.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FGB20N60SFD-F085, Транзистор: IGBT; 600В; 20А; 83Вт; TO263" 1.

Заряд затвора21нC КорпусTO263AB МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±10В Напряжение коллектор-эмиттер400В
665.33 
Доступность: 713 шт.
 

Минимальное количество для товара "FGB3040G2-F085, Транзистор: IGBT; 400В; 25,6А; 150Вт; TO263AB" 1.

Заряд затвора21нC КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±10В Напряжение коллектор-эмиттер400В
487.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FGB3040G2-F085C, Транзистор: IGBT; 400В; 25,6А; 150Вт; D2PAK" 1.

Заряд затвора23нC КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±10В Напряжение коллектор-эмиттер450В
612.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FGB3245G2-F085, Транзистор: IGBT; 450В; 27А; 150Вт; TO263" 1.

Заряд затвора36нC КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±20В Напряжение коллектор-эмиттер650В
1 003.21 
Доступность: 725 шт.
 

Минимальное количество для товара "FGB40T65SPD-F085, Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 134Вт; TO263" 1.

0.0
FGB7N60UNDF-ONS
Обозначение производителяFGB7N60UNDF ПроизводительONSEMI Тип транзистораIGBT
294.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FGB7N60UNDF, Транзистор: IGBT" 46.

Заряд затвора21нC КорпусTO252AA МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±10В Напряжение коллектор-эмиттер400В
394.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FGD3040G2-F085, Транзистор: IGBT; 400В; 25,6А; 150Вт; TO252AA" 1.

Заряд затвора21нC КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±10В Напряжение коллектор-эмиттер400В
342.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FGD3040G2-F085C, Транзистор: IGBT; 400В; 25,6А; 150Вт; DPAK" 1.

Заряд затвора21нC КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±10В Напряжение коллектор-эмиттер400В
338.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FGD3040G2-F085V, Транзистор: IGBT; 400В; 25,6А; 150Вт; DPAK" 1.

Заряд затвора22нC КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±10В Напряжение коллектор-эмиттер500В
565.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FGD3050G2, Транзистор: IGBT; 500В; 27А; 150Вт; TO252" 1.

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусDPAK МонтажSMD
369.18 
Доступность: 2258 шт.
 

Минимальное количество для товара "FGD3245G2-F085, Транзистор: IGBT; 450В; 23А; 150Вт; DPAK; системы зажигания; ESD" 1.

Заряд затвора23нC КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±10В Напряжение коллектор-эмиттер450В
369.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FGD3245G2-F085C, Транзистор: IGBT; 450В; 23А; 150Вт; DPAK" 1.

Заряд затвора24нC КорпусTO252AA МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±10В Напряжение коллектор-эмиттер400В
510.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FGD3440G2-F085, Транзистор: IGBT; 400В; 25А; 166Вт; TO252AA" 1.

Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,7нC КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±25В
391.65 
Доступность: 1562 шт.
 

Минимальное количество для товара "FGD5T120SH, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 5А; 28Вт; DPAK" 1.

Вид упаковкитуба Заряд затвора0,12мкC КорпусTO247-3 МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В
831.46 
Доступность: 80 шт.
 

Минимальное количество для товара "FGH40N60SFDTU, Транзистор: IGBT; 600В; 40А; 116Вт; TO247-3" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж