Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 32

Фильтры товаров
Тип транзистора
Напряжение коллектор-эмиттер
Топология
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Корпус
Тип модуля
Монтаж
Ток коллектора в импульсе
Производитель
Код производителяBXE50T65HFHD Напряжение коллектор-эмиттер650В ПроизводительBRIDGELUX Тип транзистораIGBT Ток коллектора50А
413.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BXE50T65HFHD, Транзистор: IGBT; 650В; 50А" 1.

Код производителяBXE50T65HFSD Напряжение коллектор-эмиттер650В ПроизводительBRIDGELUX Тип транзистораIGBT Ток коллектора50А
410.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BXE50T65HFSD, Транзистор: IGBT; 650В; 50А" 1.

Вид упаковкитуба Время включения185нс Время выключения391нс Заряд затвора430нC Код производителяBXE75T60HFHD
1 437.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BXE75T60HFHD, Транзистор: IGBT; 600В; 75А; 156Вт; TO247-3" 1.

Код производителяBXPD-E75T65HD-0000 Напряжение коллектор-эмиттер650В ПроизводительBRIDGELUX Тип транзистораIGBT Ток коллектора75А
480.10 
Доступность: 116 шт.
 

Минимальное количество для товара "BXPD-E75T65HD-0000, Транзистор: IGBT; 650В; 75А" 1.

Код производителяCM300DU-12F Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпус62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CM300DU-12F, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Код производителяCM600HA-24H Конструкция диодаодиночный транзистор Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обратное напряжение макс.1,2кВ
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CM600HA-24H, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; винтами" 1.

Код производителяCM600HB-24A Конструкция диодаодиночный транзистор Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обратное напряжение макс.1,2кВ
35 572.14 
Доступность: 4 шт.
 

Минимальное количество для товара "CM600HB-24A, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; винтами" 1.

Код производителяDAGNH1001200 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHW9434 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
11 693.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DAGNH1001200, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяDAGNH100600 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHW9434 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
9 194.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DAGNH100600, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Код производителяDAGNH1501200 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHW9434 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
15 560.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DAGNH1501200, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяDAGNH2001200 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHW9434 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
19 519.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DAGNH2001200, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяDAGNH200600 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHW9434 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
12 842.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DAGNH200600, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Код производителяDAGNH751200 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHW9434 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
9 960.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DAGNH751200, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяDAGNH75600 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHW9434 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
7 771.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DAGNH75600, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Код производителяDDB6U104N16RRBPSA1 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-ECONO2B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
16 965.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DDB6U104N16RRBPSA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,6кВ; Ic: 50А" 1.

Код производителяDDB6U134N16RRBPSA1 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-ECONO2B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
19 433.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DDB6U134N16RRBPSA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,6кВ; Ic: 70А" 1.

Код производителяDDB6U50N16W1RBPSA1 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-EASY1B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
9 655.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DDB6U50N16W1RBPSA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,6кВ; Ic: 50А" 1.

Код производителяDDB6U75N16W1RBOMA1 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-EASY1B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
11 813.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DDB6U75N16W1RBOMA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,6кВ; Ic: 50А" 1.

Код производителяDF400R12KE3HOSA1 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
36 274.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DF400R12KE3HOSA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 400А" 1.

Вид упаковкитуба Время включения21нс Время выключения208нс Заряд затвора70нC Код производителяDG10X06T1
273.63 
Доступность: 131 шт.
 

Минимальное количество для товара "DG10X06T1, Транзистор: IGBT; 600В; 19А; 196Вт; TO220" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Хиты продаж