Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 34

Фильтры товаров
Тип транзистора
Напряжение коллектор-эмиттер
Топология
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Корпус
Тип модуля
Монтаж
Ток коллектора в импульсе
Производитель
Вид упаковкитуба Время включения69нс Время выключения337нс Заряд затвора330нC Код производителяDIW040M120
1 369.82 
Доступность: 426 шт.
 

Минимальное количество для товара "DIW040M120, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 40А; 330Вт; TO247-3" 1.

Вид упаковкитуба Время включения168нс Время выключения245нс Заряд затвора78нC Код производителяDIW050F065
729.68 
Доступность: 355 шт.
 

Минимальное количество для товара "DIW050F065, Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 350Вт; TO247-3" 1.

Вид упаковкитуба Время включения116нс Время выключения357нс Заряд затвора230нC Код производителяDIW075M065
1 167.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DIW075M065, Транзистор: IGBT; 650В; 75А; 330Вт; TO247-3" 1.

Код производителяF3L300R07PE4 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-ECONO4-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
47 873.13 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "F3L300R07PE4, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

Код производителяF4150R12KS4BOSA1 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONO3-4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
35 008.29 
Доступность: 5 шт.
 

Минимальное количество для товара "F4150R12KS4BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x2; Ic: 150А" 1.

Код производителяF475R06W1E3BOMA1 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-EASY1B-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
6 229.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "F475R06W1E3BOMA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x2; Ic: 75А" 1.

Код производителяF475R12KS4BOSA1 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONO2-6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "F475R12KS4BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x2; Ic: 75А" 1.

Код производителяFB30R06W1E3BOMA1 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-EASY1B-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
5 669.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FB30R06W1E3BOMA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 1-фазный диодный мост; Urmax: 600В" 1.

Код производителяFD1000R33HE3KBPSA1 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-IHVB190 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
548 332.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FD1000R33HE3KBPSA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck-boost chopper; Urmax: 3,3кВ" 1.

Код производителяFD300R06KE3HOSA1 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
19 929.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FD300R06KE3HOSA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 300А" 1.

Код производителяFD300R12KE3HOSA1 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
36 274.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FD300R12KE3HOSA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяFF100R12RT4HOSA1 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-34MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
14 245.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FF100R12RT4HOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 3.

Код производителяFF200R12KE3HOSA1 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
27 669.98 
Доступность: 10 шт.
 

Минимальное количество для товара "FF200R12KE3HOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяFF200R12KE4PHOSA1 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
26 782.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FF200R12KE4PHOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяFF200R12KT3EHOSA1 Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
27 416.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FF200R12KT3EHOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

Код производителяFF200R12KT4HOSA1 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
15 974.30 
Доступность: 22 шт.
 

Минимальное количество для товара "FF200R12KT4HOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяFF200R17KE4HOSA1 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
36 063.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FF200R17KE4HOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Код производителяFF300R06KE3 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FF300R06KE3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Код производителяFF300R12KE3 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
31 416.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FF300R12KE3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяFF300R12KS4 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
46 187.40 
Доступность: 9 шт.
 

Минимальное количество для товара "FF300R12KS4, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Хиты продаж