Транзисторы и модули IGBT

Производитель

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

0.0
IXYH82N120C3
Вид упаковкитуба Время включения119нс Время выключения295нс Заряд затвора215нC КорпусTO247-3
3 737 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXYH82N120C3, Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 82А; 1,25кВт; TO247-3" 1.

0.0
IXYH85N120A4
Вид упаковкитуба Время включения73нс Время выключения990нс Заряд затвора200нC КорпусTO247-3
3 416 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXYH85N120A4, Транзистор: IGBT; GenX4™; 1,2кВ; 85А; 1,15кВт; TO247-3" 1.

0.0
IXYH8N250C
Вид упаковкитуба Время включения12нс Время выключения180нс Заряд затвора45нC КорпусTO247-3
3 329 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXYH8N250C, Транзистор: IGBT; XPT™; 2,5кВ; 29А; 280Вт; TO247-3" 1.

0.0
IXYH8N250CHV
Вид упаковкитуба Время включения24нс Время выключения328нс Заряд затвора45нC КорпусTO247HV
4 879 
Доступность: 57 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXYH8N250CHV, Транзистор: IGBT; XPT™; 2,5кВ; 8А; 280Вт; TO247HV" 1.

0.0
IXYH8N250CV1HV
Вид упаковкитуба Время включения24нс Время выключения328нс Заряд затвора45нC КорпусTO247HV
4 898 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXYH8N250CV1HV, Транзистор: IGBT; XPT™; 2,5кВ; 8А; 280Вт; TO247HV" 1.

0.0
IXYJ20N120C3D1
Вид упаковкитуба Время включения20нс Время выключения90нс Заряд затвора53нC КорпусTO247
2 808 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXYJ20N120C3D1, Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 21А; 105Вт; TO247" 1.

0.0
IXYK100N120C3
Вид упаковкитуба Время включения143нс Время выключения271нс Заряд затвора260C КорпусTO264
5 073 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXYK100N120C3, Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 100А; 1,15кВт; TO264" 1.

0.0
IXYK120N120C3
Вид упаковкитуба Время включения105нс Время выключения346нс Заряд затвора412нC КорпусTO264
6 660 
Доступность: 40 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXYK120N120C3, Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 120А; 1,5кВт; TO264" 1.

0.0
IXYK140N90C3
Вид упаковкитуба Время включения122нс Время выключения0,3мкс Заряд затвора330нC КорпусTO264
5 905 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXYK140N90C3, Транзистор: IGBT; GenX3™; 900В; 140А; 1,63кВт; TO264" 1.

0.0
IXYK200N65B3
Вид упаковкитуба Время включения170нс Время выключения700нс Заряд затвора340нC КорпусTO264
6 448 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXYK200N65B3, Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 200А; 1,56кВт; TO264" 1.

0.0
IXYL40N250CV1
Вид упаковкитуба Время включения43нс Время выключения505нс Заряд затвора0,27мкC КорпусISOPLUS i5-pac™
21 491 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXYL40N250CV1, Транзистор: IGBT; XPT™; 2,5кВ; 40А; 577Вт; ISOPLUS i5-pac™" 1.

0.0
IXYL60N450
Вид упаковкитуба Время включения724нс Время выключения1,58мкс Заряд затвора366нC КорпусISOPLUS i5-pac™
26 022 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXYL60N450, Транзистор: IGBT; XPT™; 4,5кВ; 38А; 417Вт; ISOPLUS i5-pac™" 1.

0.0
IXYN100N120C3
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN100N120C3
9 362 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXYN100N120C3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 84А; SOT227B" 1.

0.0
IXYN100N120C3H1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN100N120C3H1
11 791 
Доступность: 2 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXYN100N120C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 62А; SOT227B" 1.

0.0
IXYN100N65B3D1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN100N65B3D1
6 253 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXYN100N65B3D1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 100А; SOT227B" 1.

0.0
IXYN100N65C3H1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN100N65C3H1
4 852 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXYN100N65C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 90А; SOT227B" 1.

0.0
IXYN120N120C3
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN120N120C3
7 170 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXYN120N120C3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 120А; SOT227B" 1.

0.0
IXYN150N60B3
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN150N60B3
8 946 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXYN150N60B3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 140А; SOT227B" 1.

0.0
IXYN30N170CV1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN30N170CV1
7 482 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXYN30N170CV1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 30А; SOT227B" 1.

0.0
IXYN50N170CV1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN50N170CV1
13 010 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXYN50N170CV1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 50А; SOT227B" 1.

0.0
IXYN75N65C3D1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN75N65C3D1
5 983 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXYN75N65C3D1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 75А; SOT227B" 1.

0.0
IXYN80N90C3H1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN80N90C3H1
8 268 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXYN80N90C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 900В; Ic: 70А; SOT227B" 1.

0.0
IXYN82N120C3
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN82N120C3
8 538 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXYN82N120C3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 46А; SOT227B" 1.

0.0
IXYN82N120C3H1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN82N120C3H1
11 127 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXYN82N120C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 66А; SOT227B" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (31)