Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 47

Категории
Полупроводники
Модули и транзисторы IGBT
Модули IGBT
Транзисторы IGBT
Obsolete
Динисторы
Диоды
Комплекты пусковые
Микросхемы
Мосты выпрямительные
Оснащение для полупроводников
Программаторы и стирающие устройства
Симисторы
+3Еще
Фильтры товаров
Тип транзистора
Напряжение коллектор-эмиттер
Топология
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Корпус
Тип модуля
Монтаж
Ток коллектора в импульсе
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
GD800HFY120C3S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В
0.0
GD800HFY120C3S
Код производителяGD800HFY120C3S Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC3 130mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD800HFY120C3S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

GD800SGX170C3S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход; IGBT x2; Ic: 800А
0.0
GD800SGX170C3S
Код производителяGD800SGX170C3S Конструкция диодаобщий вход, транзистор/транзистор КорпусC3 130mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD800SGX170C3S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход; IGBT x2; Ic: 800А" 1.

GD80TLQ120F1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC
0.0
GD80TLQ120F1S
Код производителяGD80TLQ120F1S Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусF1.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
8 520.73 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD80TLQ120F1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC" 25.

GD900HFY120P1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В
0.0
GD900HFY120P1S
Код производителяGD900HFY120P1S Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусP1.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
57 152.57 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD900HFY120P1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 9.

GN2470K4-G, Транзистор: IGBT; 700В; 1А; 2,5Вт; DPAK
0.0
GN2470K4-G
Вид упаковкибобина, лента Код производителяGN2470K4-G КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GN2470K4-G, Транзистор: IGBT; 700В; 1А; 2,5Вт; DPAK" 1.

GT15J341,S4X(S, Транзистор: IGBT; 600В; 15А; 30Вт; TO220FP
0.0
GT15J341
Вид упаковкитуба Время включения180нс Время выключения320нс Код производителяGT15J341,S4X(S КорпусTO220FP
354.06 ₽
Доступность: 96 шт.
 

Минимальное количество для товара "GT15J341,S4X(S, Транзистор: IGBT; 600В; 15А; 30Вт; TO220FP" 1.

GT20J341,S4X(S, Транзистор: IGBT; 600В; 11А; 45Вт; TO220FP
0.0
GT20J341
Вид упаковкитуба Время включения0,2мкс Время выключения370нс Код производителяGT20J341,S4X(S КорпусTO220FP
541.46 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GT20J341,S4X(S, Транзистор: IGBT; 600В; 11А; 45Вт; TO220FP" 1.

GT30J121(Q), Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 170Вт; TO3PN
0.0
GT30J121Q
Вид упаковкитуба Время включения240нс Время выключения430нс Код производителяGT30J121(Q) КорпусTO3PN
746.27 ₽
Доступность: 101 шт.
 

Минимальное количество для товара "GT30J121(Q), Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 170Вт; TO3PN" 1.

GT40QR21(STA1,E,D, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 35А; 230Вт; TO3PN
0.0
GT40QR21
Вид упаковкитуба Время включения0,3мкс Время выключения0,6мкс Код производителяGT40QR21(STA1,E,D КорпусTO3PN
995.85 ₽
Доступность: 118 шт.
 

Минимальное количество для товара "GT40QR21(STA1,E,D, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 35А; 230Вт; TO3PN" 1.

GT40WR21,Q(O, Транзистор: IGBT; 1,8кВ; 40А; 375Вт; TO3PN
0.0
GT40WR21
Вид упаковкитуба Время включения950нс Время выключения570нс Код производителяGT40WR21,Q(O КорпусTO3PN
2 426.20 ₽
Доступность: 70 шт.
 

Минимальное количество для товара "GT40WR21,Q(O, Транзистор: IGBT; 1,8кВ; 40А; 375Вт; TO3PN" 1.

GT50JR21(STA1,E,S), Транзистор: IGBT; 600В; 49А; 230Вт; TO3PN
0.0
GT50JR21
Вид упаковкитуба Время включения430нс Время выключения720нс Код производителяGT50JR21(STA1,E,S) КорпусTO3PN
1 111.11 ₽
Доступность: 83 шт.
 

Минимальное количество для товара "GT50JR21(STA1,E,S), Транзистор: IGBT; 600В; 49А; 230Вт; TO3PN" 1.

GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN
0.0
GT50JR22
Вид упаковкитуба Время включения250нс Время выключения330нс Код производителяGT50JR22(STA1,E,S) КорпусTO3PN
1 103.65 ₽
Доступность: 166 шт.
 

Минимальное количество для товара "GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN" 1.

HFGM100D12V1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
0.0
HFGM100D12V1-HUA
Код производителяHFGM100D12V1 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
9 960.20 ₽
Доступность: 4 шт.
 

Минимальное количество для товара "HFGM100D12V1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

HFGM150D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
0.0
HFGM150D12V3-HUA
Код производителяHFGM150D12V3 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV3 62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
15 706.47 ₽
Доступность: 5 шт.
 

Минимальное количество для товара "HFGM150D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

HFGM200D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
0.0
HFGM200D12V3-HUA
Код производителяHFGM200D12V3 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV3 62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
16 472.64 ₽
Доступность: 5 шт.
 

Минимальное количество для товара "HFGM200D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

HFGM300D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
0.0
HFGM300D12V3-HUA
Код производителяHFGM300D12V3 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV3 62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
27 363.18 ₽
Доступность: 7 шт.
 

Минимальное количество для товара "HFGM300D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

HFGM75D12V1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
0.0
HFGM75D12V1-HUA
Код производителяHFGM75D12V1 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
8 810.95 ₽
Доступность: 7 шт.
 

Минимальное количество для товара "HFGM75D12V1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

HGTD1N120BNS9A, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 2,7А; 60Вт; DPAK
0.0
HGTD1N120BNS9A
Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC Код производителяHGTD1N120BNS9A КорпусDPAK МонтажSMD
136.82 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HGTD1N120BNS9A, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 2,7А; 60Вт; DPAK" 2500.

HPFM-00117, Module: gate driver board; PCB; 3.3kV; 14.5÷16VDC; 15kHz; 30A
0.0
HPFM-00117
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток30А Класс напряжения3,3кВ Код производителяHPFM-00117 МонтажPCB
72 597.84 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HPFM-00117, Module: gate driver board; PCB; 3.3kV; 14.5÷16VDC; 15kHz; 30A" 1.

IFF450B12ME4PB11BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
0.0
IFF450B12ME4PB11
Код производителяIFF450B12ME4PB11BPSA1 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONOD-6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
34 612.77 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IFF450B12ME4PB11BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Хиты продаж