Транзисторы и модули IGBT

Производитель

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

0.0
MDI75-12A3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDI75-12A3
12 450 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MDI75-12A3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 60А" 1.

0.0
MDMA210UB1600PTED
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDMA210UB1600PTED
24 589 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MDMA210UB1600PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 84А" 1.

0.0
MDMA240UB1600ED
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDMA240UB1600ED
26 913 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MDMA240UB1600ED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
MDMA280UB1600PTED
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDMA280UB1600PTED
27 301 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MDMA280UB1600PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
MDMA360UB1600PTED
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDMA360UB1600PTED
31 365 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MDMA360UB1600PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
MDMA450UB1600PTED
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDMA450UB1600PTED
34 463 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MDMA450UB1600PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
MDNA210UB2200PTED
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDNA210UB2200PTED
21 684 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MDNA210UB2200PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 28.

0.0
MDNA280UB2200PTED
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDNA280UB2200PTED
39 691 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MDNA280UB2200PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
MDNA360UB2200PTED
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDNA360UB2200PTED
41 976 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MDNA360UB2200PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
MG06100S-BN4MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпусpackage S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG06100S-BN4MM
18 297 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG06100S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

0.0
MG06150S-BN4MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпусpackage S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG06150S-BN4MM
21 491 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG06150S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

0.0
MG06300D-BN4MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG06300D-BN4MM
32 915 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG06300D-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

0.0
MG06400D-BN4MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG06400D-BN4MM
41 435 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG06400D-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

0.0
MG0675S-BN4MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпусpackage S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG0675S-BN4MM
15 857 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG0675S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

0.0
MG100HF12MRC1-YAN
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG100HF12MRC1
6 503 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG100HF12MRC1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
MG100UZ12GJ-YAN
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусGJ-UZ Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG100UZ12GJ
4 703 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG100UZ12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А; GJ-UZ" 1.

0.0
MG10P12P2-YAN
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG10P12P2
3 277 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG10P12P2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 10А" 1.

0.0
MG12100S-BN2MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпусpackage S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG12100S-BN2MM
18 703 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG12100S-BN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
MG12150S-BN2MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG12150S-BN2MM
23 621 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG12150S-BN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
MG12150W-XN2MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпусpackage W Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG12150W-XN2MM
57 311 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG12150W-XN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

0.0
MG12200D-BN2MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG12200D-BN2MM
33 302 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG12200D-BN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
MG12300D-BN2MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG12300D-BN2MM
51 696 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG12300D-BN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
MG15P12P2-YAN
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG15P12P2
4 024 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG15P12P2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 15А" 1.

0.0
MG17100S-BN4MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG17100S-BN4MM
28 462 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG17100S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (31)