Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 40

Фильтры товаров
Тип транзистора
Напряжение коллектор-эмиттер
Топология
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Корпус
Тип модуля
Монтаж
Ток коллектора в импульсе
Производитель
Код производителяFS820R08A6P2LBBPSA1 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-HYBRIDD-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FS820R08A6P2LBBPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 450А" 1.

Код производителяFZ1000R33HE3BPSA1 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-IHVB130-3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FZ1000R33HE3BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 3,3кВ; Ic: 1кА; винтами" 1.

Код производителяFZ1400R33HE4BPSA1 Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусAG-IHVB130-3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FZ1400R33HE4BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

Код производителяFZ2000R33HE4BOSA1 Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусAG-IHVB190-3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FZ2000R33HE4BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x3" 1.

Код производителяFZ400R12KS4HOSA1 Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусAG-62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
40 913.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FZ400R12KS4HOSA1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 400А; AG-62MM" 1.

Код производителяFZ400R17KE4HOSA1 Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусAG-62MMES Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
32 899.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FZ400R17KE4HOSA1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 400А; винтами" 1.

Код производителяFZ600R12KE3HOSA1 Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусAG-62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
37 624.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FZ600R12KE3HOSA1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; AG-62MM" 1.

Код производителяFZ900R12KE4HOSA1 Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусAG-62MMES Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
43 529.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FZ900R12KE4HOSA1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 900А; винтами" 1.

Код производителяGD1000HFX170P2S Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусP2.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD1000HFX170P2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 1.

Код производителяGD100FFX170C6S Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD100FFX170C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

Код производителяGD100FFX65C5S Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD100FFX65C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

Код производителяGD100FFY120C5S Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD100FFY120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

Код производителяGD100FFY120C6S Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD100FFY120C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

Код производителяGD100HFU120C2S Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD100HFU120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

Код производителяGD100HFU120C8S Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC8 48mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD100HFU120C8S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

Код производителяGD100HFX170C1S Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD100HFX170C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 1.

Код производителяGD100HFX65C1S Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD100HFX65C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Код производителяGD100HFY120C1S Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD100HFY120C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

Код производителяGD100HHU120C6S Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD100HHU120C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1200В; Ic: 100А" 1.

Код производителяGD100MLX65L3S Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD100MLX65L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Хиты продаж