Транзисторы и модули IGBT

Производитель

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

0.0
IXA12IF1200PB
Вид упаковкитуба Время включения110нс Время выключения350нс Заряд затвора27нC КорпусTO220-3
1 299 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXA12IF1200PB, Транзистор: IGBT; Planar; 1,2кВ; 13А; 85Вт; TO220-3" 1.

0.0
IXA20I1200PB
Вид упаковкитуба Время включения110нс Время выключения350нс Заряд затвора47нC КорпусTO220-3
1 003 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXA20I1200PB, Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 22А; 165Вт; TO220-3" 1.

0.0
IXA20IF1200HB
Вид упаковкитуба Время включения110нс Время выключения350нс Заряд затвора47нC КорпусTO247-3
‍871‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXA20IF1200HB, Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 22А; 165Вт; TO247-3" 1.

0.0
IXA20PG1200DHGLB
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSMPD-B Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXA20PG1200DHGLB Обратное напряжение макс.1,2кВ
1 642 
Доступность: 30 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXA20PG1200DHGLB, Модуль: IGBT; диод/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 23А" 1.

0.0
IXA27IF1200HJ
Вид упаковкитуба Время включения110нс Время выключения350нс Заряд затвора76нC КорпусPLUS247™
1 956 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXA27IF1200HJ, Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 27А; 150Вт; PLUS247™" 1.

0.0
IXA30RG1200DHGLB
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSMPD-B Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXA30RG1200DHGLB Обратное напряжение макс.1,2кВ
1 020 
Доступность: 49 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXA30RG1200DHGLB, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 30А" 1.

0.0
IXA37IF1200HJ
Вид упаковкитуба Время включения110нс Время выключения350нс Заряд затвора106нC КорпусPLUS247™
4 278 
Доступность: 52 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXA37IF1200HJ, Транзистор: IGBT; Planar; 1,2кВ; 37А; 195Вт; PLUS247™" 1.

0.0
IXA40RG1200DHGLB
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSMPD-B Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXA40RG1200DHGLB Обратное напряжение макс.1,2кВ
1 986 
Доступность: 2 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXA40RG1200DHGLB, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 43А" 1.

0.0
IXA4IF1200TC
Вид упаковкитуба Время включения110нс Время выключения350нс Заряд затвора12нC КорпусTO268
‍934‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXA4IF1200TC, Транзистор: IGBT; Planar; 1,2кВ; 5А; 45Вт; TO268" 1.

0.0
IXA70I1200NA
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXA70I1200NA
6 718 
Доступность: 12 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXA70I1200NA, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 65А; SOT227B" 1.

0.0
IXBA16N170AHV
Вид упаковкитуба Время включения43нс Время выключения370нс Заряд затвора65нC КорпусTO263
4 523 
Доступность: 8 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXBA16N170AHV, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO263" 1.

0.0
IXBF20N300
Вид упаковкитуба Время включения64нс Время выключения0,3мкс Заряд затвора105нC КорпусISOPLUS i4-pac™ x024c
11 114 
Доступность: 3 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXBF20N300, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 34А; 150Вт" 1.

0.0
IXBF40N160
Вид упаковкитуба Время включения260нс Время выключения340нс Заряд затвора130нC КорпусISOPLUS i4-pac™ x024c
4 435 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXBF40N160, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,6кВ; 16А; 250Вт" 1.

0.0
IXBF42N300
Вид упаковкитуба Время включения652нс Время выключения950нс Заряд затвора200нC КорпусISOPLUS i4-pac™ x024c
13 998 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXBF42N300, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 24А; 240Вт" 1.

0.0
IXBH10N170
Вид упаковкитуба Время включения63нс Время выключения1,8мкс Заряд затвора30нC КорпусTO247-3
1 829 
Доступность: 25 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXBH10N170, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO247-3" 1.

0.0
IXBH10N300HV
Вид упаковкитуба Время включения805нс Время выключения2,13мкс Заряд затвора46нC КорпусTO247HV
15 374 
Доступность: 14 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXBH10N300HV, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 10А; 180Вт; TO247HV" 1.

0.0
IXBH12N300
Вид упаковкитуба Время включения460нс Время выключения705нс Заряд затвора62нC КорпусTO247-3
5 331 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXBH12N300, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 12А; 160Вт; TO247-3" 1.

0.0
IXBH16N170
Вид упаковкитуба Время включения220нс Время выключения940нс Заряд затвора72нC КорпусTO247-3
2 452 
Доступность: 118 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXBH16N170, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 16А; 250Вт; TO247-3" 1.

0.0
IXBH16N170A
Вид упаковкитуба Время включения43нс Время выключения370нс Заряд затвора65нC КорпусTO247-3
2 509 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXBH16N170A, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO247-3" 1.

0.0
IXBH20N300
Вид упаковкитуба Время включения64нс Время выключения0,3мкс Заряд затвора105нC КорпусTO247-3
7 019 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXBH20N300, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 50А; 250Вт; TO247-3" 1.

0.0
IXBH24N170
Вид упаковкитуба Время включения190нс Время выключения1285нс Заряд затвора0,14мкC КорпусTO247-3
3 997 
Доступность: 1 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXBH24N170, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 24А; 250Вт; TO247-3" 1.

0.0
IXBH42N170
Вид упаковкитуба Время включения224нс Время выключения1,07мкс Заряд затвора188нC КорпусTO247-3
5 170 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXBH42N170, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 42А; 360Вт; TO247-3" 1.

0.0
IXBH42N170A
Вид упаковкитуба Время включения33нс Время выключения308нс Заряд затвора188нC КорпусTO247-3
4 686 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXBH42N170A, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 21А; 357Вт; TO247-3" 1.

0.0
IXBH6N170
Вид упаковкитуба Время включения104нс Время выключения700нс Заряд затвора17нC КорпусTO247-3
1 514 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXBH6N170, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 6А; 75Вт; TO247-3" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (31)