Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 41

Производитель
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSMPD-B Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXA40RG1200DHGLB Обратное напряжение макс.1,2кВ
2 065.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXA40RG1200DHGLB, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 43А" 1.

Вид упаковкитуба Время включения110нс Время выключения350нс Заряд затвора12нC КорпусTO268
983.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXA4IF1200TC, Транзистор: IGBT; Planar; 1,2кВ; 5А; 45Вт; TO268" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXA70I1200NA
7 136.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXA70I1200NA, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 65А; SOT227B" 1.

Вид упаковкитуба Время включения43нс Время выключения370нс Заряд затвора65нC КорпусTO263
4 768.86 
Доступность: 4 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXBA16N170AHV, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO263" 1.

Вид упаковкитуба Время включения64нс Время выключения0,3мкс Заряд затвора105нC КорпусISOPLUS i4-pac™ x024c
11 716.69 
Доступность: 3 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXBF20N300, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 34А; 150Вт" 1.

Вид упаковкитуба Заряд затвора110нC КорпусISOPLUS i4-pac™ x024c МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В
10 817.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXBF20N360, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3,6кВ; 20А; 230Вт" 300.

Вид упаковкитуба Время включения260нс Время выключения340нс Заряд затвора130нC КорпусISOPLUS i4-pac™ x024c
4 673.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXBF40N160, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,6кВ; 16А; 250Вт" 1.

Вид упаковкитуба Время включения652нс Время выключения950нс Заряд затвора200нC КорпусISOPLUS i4-pac™ x024c
14 759.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXBF42N300, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 24А; 240Вт" 1.

Вид упаковкитуба Время включения63нс Время выключения1,8мкс Заряд затвора30нC КорпусTO247-3
1 776.08 
Доступность: 22 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXBH10N170, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO247-3" 1.

Вид упаковкитуба Время включения805нс Время выключения2,13мкс Заряд затвора46нC КорпусTO247HV
16 207.06 
Доступность: 14 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXBH10N300HV, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 10А; 180Вт; TO247HV" 1.

Вид упаковкитуба Время включения460нс Время выключения705нс Заряд затвора62нC КорпусTO247-3
6 665.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXBH12N300, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 12А; 160Вт; TO247-3" 1.

Вид упаковкитуба Время включения220нс Время выключения940нс Заряд затвора72нC КорпусTO247-3
2 964.69 
Доступность: 340 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXBH16N170, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 16А; 250Вт; TO247-3" 1.

Вид упаковкитуба Время включения43нс Время выключения370нс Заряд затвора65нC КорпусTO247-3
3 130.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXBH16N170A, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO247-3" 1.

Вид упаковкитуба Время включения64нс Время выключения0,3мкс Заряд затвора105нC КорпусTO247-3
13 101.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXBH20N300, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 50А; 250Вт; TO247-3" 1.

Вид упаковкитуба Время включения190нс Время выключения1285нс Заряд затвора0,14мкC КорпусTO247-3
4 212.68 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXBH24N170, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 24А; 250Вт; TO247-3" 1.

Вид упаковкитуба Время включения224нс Время выключения1,07мкс Заряд затвора188нC КорпусTO247-3
4 359.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXBH42N170, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 42А; 360Вт; TO247-3" 1.

Вид упаковкитуба Время включения33нс Время выключения308нс Заряд затвора188нC КорпусTO247-3
6 735.96 
Доступность: 300 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXBH42N170A, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 21А; 357Вт; TO247-3" 1.

Вид упаковкитуба Время включения104нс Время выключения700нс Заряд затвора17нC КорпусTO247-3
1 596.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXBH6N170, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 6А; 75Вт; TO247-3" 1.

Вид упаковкитуба Время включения637нс Время выключения475нс Заряд затвора335нC КорпусTO264
17 154.90 
Доступность: 15 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXBK55N300, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 55А; 625Вт; TO264" 1.

Вид упаковкитуба Время включения632нс Время выключения397нс Заряд затвора400нC КорпусTO264
34 089.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXBK64N250, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 2,5кВ; 64А; 735Вт; TO264" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж