Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 41

Фильтры товаров
Тип транзистора
Напряжение коллектор-эмиттер
Топология
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Корпус
Тип модуля
Монтаж
Ток коллектора в импульсе
Производитель
Код производителяGD100PIX65C6S Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD100PIX65C6S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 100А" 1.

Код производителяGD100PIY120C6SN Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD100PIY120C6SN, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В" 1.

Код производителяGD100SGY120D6S Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусD6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
4 724.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD100SGY120D6S, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор; D6" 1.

Код производителяGD10PJX65F1S Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF1.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
6 390.55 
Доступность: 19 шт.
 

Минимальное количество для товара "GD10PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 10А" 1.

Код производителяGD10PJX65L2S Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
5 188.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD10PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 10А" 1.

Код производителяGD10PJY120F1S Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF1.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
6 454.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD10PJY120F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 10А" 1.

Код производителяGD10PJY120F4S Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF4.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
6 895.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD10PJY120F4S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 10А" 1.

Код производителяGD10PJY120L2S Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
5 840.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD10PJY120L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 10А" 1.

Код производителяGD1200HFY120C3S Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC3 130mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD1200HFY120C3S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

Код производителяGD1200SGX170C3SN Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC3 130mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD1200SGX170C3SN, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x2; Urmax: 1700В" 1.

Код производителяGD1400HFX170P2S Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусP2.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD1400HFX170P2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 1.

Код производителяGD1400HFY120P2S Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусP2.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD1400HFY120P2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

Код производителяGD150FFX65C6S Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD150FFX65C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

Код производителяGD150FFY120C6S Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD150FFY120C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

Код производителяGD150HFU120C2S Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD150HFU120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

Код производителяGD150HFX170C2S Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD150HFX170C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 1.

Код производителяGD150HFX65C1S Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD150HFX65C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Код производителяGD150HFY120C1S Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD150HFY120C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

Код производителяGD150HFY120C2S Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD150HFY120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

Код производителяGD150HFY120C8S Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC8 48mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD150HFY120C8S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Хиты продаж