Товары из категории модули и транзисторы igbt, стр.60

Производитель

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

0.0
SEMIX202GB066HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX202GB066HDS 27891110
51 562.06 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX202GB066HDS 27891110, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX202GB12E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX202GB12E4S 27890110
61 984.19 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX202GB12E4S 27890110, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX202GB12VS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX202GB12VS 27890111
48 915.42 
Доступность: 6 шт.
+

Минимальное количество для товара "SEMIX202GB12VS 27890111, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX202GB17E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX202GB17E4S 27892074
74 600.79 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX202GB17E4S 27892074, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX205GD12E4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX205GD12E4 21919530
184 675.10 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX205GD12E4 21919530, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 200А" 1.

0.0
SEMIX205MLI07E4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX205MLI07E4 21919420
132 562.85 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX205MLI07E4 21919420, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 200А; винтами" 1.

0.0
SEMIX205MLI12E4V2
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX205MLI12E4V2 27922890
141 522.53 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX205MLI12E4V2 27922890, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 200А" 1.

0.0
SEMIX205TMLI12E4B
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX205TMLI12E4B 21919470
130 735.18 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX205TMLI12E4B 21919470, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC" 1.

0.0
SEMIX206GD12M7P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX206GD12M7P 27896120
140 792.09 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX206GD12M7P 27896120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; винтами" 1.

0.0
SEMIX206GD12T4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX206GD12T4P 27896030
162 915.42 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX206GD12T4P 27896030, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 200А" 1.

0.0
SEMIX223GB12E4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX223GB12E4P 27895002
76 063.24 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX223GB12E4P 27895002, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX223GB12M7P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX223GB12M7P 27895102
78 624.51 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX223GB12M7P 27895102, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX223GB17E4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX223GB17E4P 27895402
90 509.09 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX223GB17E4P 27895402, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX223GD12E4C
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX223GD12E4C 27890208
217 587.35 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX223GD12E4C 27890208, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 225А" 1.

0.0
SEMIX252GB126HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX252GB126HDS 27890680
69 846.64 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX252GB126HDS 27890680, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX256GD12M7P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX256GD12M7P 27896130
159 990.51 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX256GD12M7P 27896130, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; винтами" 1.

0.0
SEMIX302GAL12E4S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GAL12E4S 27890220
59 242.69 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX302GAL12E4S 27890220, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 300А" 1.

0.0
SEMIX302GAL17E4S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GAL17E4S 27892120
69 664.82 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX302GAL17E4S 27892120, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 300А" 1.

0.0
SEMIX302GAR12E4S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GAR12E4S 27890222
58 510.67 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX302GAR12E4S 27890222, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 300А" 1.

0.0
SEMIX302GB066HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GB066HDS 27891120
62 716.21 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX302GB066HDS 27891120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX302GB12E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GB12E4S 27890120
79 720.16 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX302GB12E4S 27890120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX302GB12VS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GB12VS 27890121
95 445.06 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX302GB12VS 27890121, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX302GB176HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GB176HDS 27890470
93 799.21 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX302GB176HDS 27890470, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX302GB17E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GB17E4S 27892110
99 650.59 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX302GB17E4S 27892110, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (31)
Хиты продаж