Транзисторы и модули IGBT

Производитель

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

0.0
SGP23N60UFDTU
Вид упаковкитуба Заряд затвора80нC КорпусTO220-3 МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В
‍317‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SGP23N60UFDTU, Транзистор: IGBT; 600В; 12А; 40Вт; TO220-3" 1.

0.0
SK10GD126ET
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 10 GD 126 ET 24910260
22 973 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 10 GD 126 ET 24910260, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 8А; SEMITOP3" 1.

0.0
SK10GD12T4ET
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 10 GD 12T4 ET 24914830
20 616 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 10 GD 12T4 ET 24914830, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 8А; SEMITOP3" 1.

0.0
SK100GB066T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 GB 066 T 24914990
28 078 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 100 GB 066 T 24914990, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

0.0
SK100GB12T4T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 GB 12T4 T 24914930
34 165 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 100 GB 12T4 T 24914930, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SK100GD066T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 GD 066 T 24912430
88 553 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 100 GD 066 T 24912430, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

0.0
SK100GD07F3TD1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 GD 07F3 TD1 24919170
100 924 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 100 GD 07F3 TD1 24919170, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

0.0
SK100GD12T4T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 GD 12T4 T 24914780
111 134 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 100 GD 12T4 T 24914780, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

0.0
SK100GH12T4T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 GH 12T4 T 24914520
80 504 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 100 GH 12T4 T 24914520, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC" 1.

0.0
SK100MLI066T
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 MLI 066 T 24914470
25 526 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 100 MLI 066 T 24914470, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

0.0
SK120GAL12F4T
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 120 GAL 12F4T 24922420
26 703 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 120 GAL 12F4T 24922420, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SK150DBB07F3TD1P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4-P Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 150 DBB 07F3 TD1P 24920301
81 878 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 150 DBB 07F3 TD1P 24920301, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x4,термистор NTC" 1.

0.0
SK25GB12T4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 25 GB 12T4 24914890
6 520 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 25 GB 12T4 24914890, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SK25GD12T4ETP
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3-P Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 25 GD 12T4 ETP 24919631
30 630 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 25 GD 12T4 ETP 24919631, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А; винтами" 1.

0.0
SK30GD066ET
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 30 GD 066 ET 24914960
24 740 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 30 GD 066 ET 24914960, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 600В; Ic: 30А; SEMITOP3" 1.

0.0
SK35GAL12T4
ВерсияT2 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
4 418 
Доступность: 51 шт.
+

Минимальное количество для товара "SK 35 GAL 12T4 24915850, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А" 1.

0.0
SK35GB12T4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 35 GB 12T4 24914900
7 462 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 35 GB 12T4 24914900, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SK35GD126ET
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 35 GD 126 ET 24910230
42 411 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 35 GD 126 ET 24910230, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А; винтами" 1.

0.0
SK35GD12T4ET
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 35 GD 12T4 ET 24914860
36 324 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 35 GD 12T4 ET 24914860, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А; винтами" 1.

0.0
SK50GB12T4T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 50 GB 12T4 T 24914910
22 776 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 50 GB 12T4 T 24914910, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SK50GBB066T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 50 GBB 066 T 24914750
30 827 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 50 GBB 066 T 24914750, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x2; Ic: 50А" 1.

0.0
SK50GD066ET
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 50 GD 066 ET 24912720
35 932 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 50 GD 066 ET 24912720, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 600В; Ic: 50А; SEMITOP3" 1.

0.0
SK50GD12T4T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 50 GD 12T4 T 24914940
23 954 
Доступность: 3 шт.
+

Минимальное количество для товара "SK 50 GD 12T4 T 24914940, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 60А" 1.

0.0
SK50GH12T4T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 50 GH 12T4 T 24915220
53 800 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 50 GH 12T4 T 24915220, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (31)