Транзисторы и модули IGBT

Производитель

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

0.0
SEMIX453GB07E3P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB07E3P 27895704
120 951 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB07E3P 27895704, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GB12E4I33P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12E4I33P 27897020
136 463 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12E4I33P 27897020, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

0.0
SEMIX453GB12E4IP
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12E4IP 27897004
131 750 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12E4IP 27897004, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

0.0
SEMIX453GB12E4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12E4P 27895004
127 628 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12E4P 27895004, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GB12E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12E4S 27890140
125 664 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12E4S 27890140, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GB12M7P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12M7P 27895104
124 093 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12M7P 27895104, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GB12VS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12VS 27890141
145 691 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12VS 27890141, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GB17E4DP
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB17E4DP 27895414
159 436 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB17E4DP 27895414, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GB17E4I50P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB17E4I50P 27897030
166 309 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB17E4I50P 27897030, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

0.0
SEMIX453GB17E4IP
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB17E4IP 27897404
158 847 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB17E4IP 27897404, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

0.0
SEMIX453GB17E4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB17E4P 27895404
154 528 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB17E4P 27895404, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GB17E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB17E4S 27892130
159 044 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB17E4S 27892130, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GD12E4C
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GD12E4C 27890212
353 430 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GD12E4C 27890212, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А" 1.

0.0
SEMIX453GD176HDC
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GD176HDC 27890435
420 188 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GD176HDC 27890435, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

0.0
SEMIX453GD17E4C
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GD17E4C 27892073
453 569 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GD17E4C 27892073, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А" 1.

0.0
SEMIX453GM12E4P
Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GM12E4P 27895064
138 231 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX453GM12E4P 27895064, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

0.0
SEMIX503GD126HDC
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX503GD126HDC 27890740
369 138 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX503GD126HDC 27890740, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

0.0
SEMIX603GAL066HDS
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GAL066HDS 27891130
84 234 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX603GAL066HDS 27891130, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

0.0
SEMIX603GAL12E4P
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GAL12E4P 27895020
133 321 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX603GAL12E4P 27895020, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

0.0
SEMIX603GAL17E4P
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GAL17E4P 27894420
132 143 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX603GAL17E4P 27894420, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

0.0
SEMIX603GAR066HDS
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GAR066HDS 27891134
83 056 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX603GAR066HDS 27891134, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

0.0
SEMIX603GAR12E4P
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GAR12E4P 27895040
133 321 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX603GAR12E4P 27895040, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

0.0
SEMIX603GB066HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB066HDS 27891132
117 613 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB066HDS 27891132, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX603GB12E4I25P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB12E4I25P 27897010
186 336 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB12E4I25P 27897010, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (31)