Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 72

Производитель
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX186DGL16P 27896200
98 796.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX186DGL16P 27896200, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,6кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX201GD066HDS 27891220
120 639.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX201GD066HDS 27891220, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 200А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX202GB066HDS 27891110
57 563.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX202GB066HDS 27891110, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX202GB12E4S 27890110
69 199.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX202GB12E4S 27890110, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX202GB12VS 27890111
36 538.52 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "SEMIX202GB12VS 27890111, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX202GB17E4S 27892074
83 284.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX202GB17E4S 27892074, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX205GD12E4 21919530
206 167.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX205GD12E4 21919530, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 200А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX205MLI07E4 21919420
147 991.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX205MLI07E4 21919420, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 200А; винтами" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX205MLI12E4V2 27922890
157 993.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX205MLI12E4V2 27922890, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 200А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX205TMLI12E4B 21919470
145 950.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX205TMLI12E4B 21919470, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX206GD12M7P 27896120
157 178.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX206GD12M7P 27896120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; винтами" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX206GD12T4P 27896030
181 878.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX206GD12T4P 27896030, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 200А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX223GB12E4P 27895002
84 917.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX223GB12E4P 27895002, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX223GB12M7P 27895102
87 773.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX223GB12M7P 27895102, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX223GB17E4P 27895402
101 042.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX223GB17E4P 27895402, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX223GD12E4C 27890208
242 910.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX223GD12E4C 27890208, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 225А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX252GB126HDS 27890680
77 976.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX252GB126HDS 27890680, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX256GD12M7P 27896130
178 611.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX256GD12M7P 27896130, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; винтами" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GAL12E4S 27890220
66 138.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX302GAL12E4S 27890220, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 300А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GAL17E4S 27892120
77 771.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX302GAL17E4S 27892120, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 300А" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж