Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 91

Фильтры товаров
Тип транзистора
Напряжение коллектор-эмиттер
Топология
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Корпус
Тип модуля
Монтаж
Ток коллектора в импульсе
Производитель
Код производителяSEMIX302GAR12E4S 27890222 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
67 486.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX302GAR12E4S 27890222, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 300А" 1.

Код производителяSEMIX302GB066HDS 27891120 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
72 337.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX302GB066HDS 27891120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Код производителяSEMIX302GB12E4S 27890120 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
37 540.63 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "SEMIX302GB12E4S 27890120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Код производителяSEMIX302GB12VS 27890121 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
110 087.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX302GB12VS 27890121, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Код производителяSEMIX302GB176HDS 27890470 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
108 190.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX302GB176HDS 27890470, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Код производителяSEMIX302GB17E4S 27892110 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
114 937.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX302GB17E4S 27892110, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Код производителяSEMIX303GB12E4I50P 27897007 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
117 470.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX303GB12E4I50P 27897007, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

Код производителяSEMIX303GB12E4P 27895007 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
104 815.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX303GB12E4P 27895007, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Код производителяSEMIX303GB12E4S 27890130 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
100 386.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX303GB12E4S 27890130, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Код производителяSEMIX303GB12M7P 27895107 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
103 761.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX303GB12M7P 27895107, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Код производителяSEMIX303GB12VS 27890131 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
98 489.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX303GB12VS 27890131, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Код производителяSEMIX303GB17E4P 27895407 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
121 266.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX303GB17E4P 27895407, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Код производителяSEMIX303GB17E4S 27892075 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
121 054.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX303GB17E4S 27892075, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Код производителяSEMIX303GD12E4C 27890210 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
295 256.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX303GD12E4C 27890210, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

Код производителяSEMIX305MLI07E4 21919430 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
180 106.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX305MLI07E4 21919430, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 300А; винтами" 1.

Код производителяSEMIX305MLI12E4V2 27922900 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
225 660.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX305MLI12E4V2 27922900, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А" 1.

Код производителяSEMIX305TMLI12E4B 21919480 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
186 223.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX305TMLI12E4B 21919480, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC" 1.

Код производителяSEMIX355MLI12M7 27922120 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
213 005.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX355MLI12M7 27922120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 350А" 1.

Код производителяSEMIX402GAL066HDS 27891104 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
24 464.34 
Доступность: 4 шт.
 

Минимальное количество для товара "SEMIX402GAL066HDS 27891104, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 379А" 1.

Код производителяSEMIX402GAR066HDS 27891106 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
64 111.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX402GAR066HDS 27891106, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 400А" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Хиты продаж