Транзисторы и модули IGBT | купить в розницу и оптом

SKM145GAL176D 22890510, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ

0.0

КОД:

SKM145GAL176D

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM145GAL176D 22890510

20 351³³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SKM145GAL176D 22890510, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 1.

SKM145GB066D22890045, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В

0.0

КОД:

SKM145GB066D

ВерсияD61 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В

18 496²¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SKM145GB066D22890045, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

SKM145GB176D 22890695, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ

0.0

КОД:

SKM145GB176D

ВерсияD61 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В

27 912⁸⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SKM145GB176D 22890695, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

SKM150GAL12F4G 22896150, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

SKM150GAL12F4G

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GAL12F4G 22896150

34 160⁹⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SKM150GAL12F4G 22896150, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

SKM150GAL12T4 22892300, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

SKM150GAL12T4

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GAL12T4 22892300

19 184⁶⁶ ^₽

Доступность: 32 шт.

Минимальное количество для товара "SKM150GAL12T4 22892300, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

SKM150GAL12V 22892301, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

SKM150GAL12V

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GAL12V 22892301

19 850³⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SKM150GAL12V 22892301, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

SKM150GAR12F4G 22896160, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А

0.0

КОД:

SKM150GAR12F4G

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GAR12F4G 22896160

34 160⁹⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SKM150GAR12F4G 22896160, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А" 1.

SKM150GAR12T4 22892400, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А

0.0

КОД:

SKM150GAR12T4

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GAR12T4 22892400

14 956⁴⁴ ^₽

Доступность: 30 шт.

Минимальное количество для товара "SKM150GAR12T4 22892400, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А" 1.

SKM150GAR12V 22892403, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А

0.0

КОД:

SKM150GAR12V

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GAR12V 22892403

19 850³⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SKM150GAR12V 22892403, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А" 1.

SKM150GB12F4 22896062, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

SKM150GB12F4

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB12F4 22896062

24 788⁸³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SKM150GB12F4 22896062, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

SKM150GB12F4G 22896060, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

SKM150GB12F4G

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB12F4G 22896060

41 660⁰⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SKM150GB12F4G 22896060, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

SKM150GB12T4 22892040, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

SKM150GB12T4

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB12T4 22892040

25 203⁶⁰ ^₽

Доступность: 27 шт.

Минимальное количество для товара "SKM150GB12T4 22892040, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

SKM150GB12T4G22892050, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

SKM150GB12T4G

ВерсияD56 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В

38 951⁷⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SKM150GB12T4G22892050, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

SKM150GB12V 22892043, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

SKM150GB12V

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB12V 22892043

35 411⁹³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SKM150GB12V 22892043, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

SKM150GB12VG 22892052, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

SKM150GB12VG

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB12VG 22892052

39 160⁰⁴ ^₽

Доступность: 12 шт.

Минимальное количество для товара "SKM150GB12VG 22892052, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

SKM150GB17E4 22895050, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ

0.0

КОД:

SKM150GB17E4

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB17E4 22895050

23 328⁶⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SKM150GB17E4 22895050, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

SKM150GB17E4G 22895052, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ

0.0

КОД:

SKM150GB17E4G

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB17E4G 22895052

48 325⁷⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SKM150GB17E4G 22895052, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

SKM150GM12T4G 22892460, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2

0.0

КОД:

SKM150GM12T4G

Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GM12T4G 22892460

39 785⁰⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SKM150GM12T4G 22892460, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

SKM195GAL07E3 22895620, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 200А

0.0

КОД:

SKM195GAL07E3

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM195GAL07E3 22895620

17 768⁹⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SKM195GAL07E3 22895620, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 200А" 1.

SKM195GAL126D 22890470, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

SKM195GAL126D

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM195GAL126D 22890470

24 788⁸³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SKM195GAL126D 22890470, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

SKM195GAR07E3 22895630, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 650В; Ic: 200А

0.0

КОД:

SKM195GAR07E3

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM195GAR07E3 22895630

17 768⁹⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SKM195GAR07E3 22895630, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 650В; Ic: 200А" 1.

SKM195GB066D22890052, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В

0.0

КОД:

SKM195GB066D

ВерсияD61 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В

18 705⁴⁹ ^₽

Доступность: 18 шт.

Минимальное количество для товара "SKM195GB066D22890052, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

SKM195GB07E3 22895610, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В

0.0

КОД:

SKM195GB07E3

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM195GB07E3 22895610

24 161⁹³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SKM195GB07E3 22895610, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

SKM195GB126D 22890630, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

SKM195GB126D

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM195GB126D 22890630

27 703⁶⁰ ^₽

Доступность: 3 шт.

Минимальное количество для товара "SKM195GB126D 22890630, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.