Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 95

Производитель
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GA17E4 22895080
54 910.11 
Доступность: 5 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM600GA17E4 22895080, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 775А; винтами" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GAL126D 21916010
76 751.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM600GAL126D 21916010, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GAL12T4 22892280
63 483.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM600GAL12T4 22892280, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GAR12T4 22892428
63 483.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM600GAR12T4 22892428, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GB07E3 22895570
76 955.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM600GB07E3 22895570, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GB126D 22890638
100 837.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM600GB126D 22890638, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GB12E4 22892092
92 673.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM600GB12E4 22892092, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GB12T4 22892098
94 509.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM600GB12T4 22892098, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GM12E4 22892094
94 306.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM600GM12E4 22892094, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

ВерсияD61 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
8 164.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM75GAL063D, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 75А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM75GB12F4 22896010
16 473.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM75GB12F4 22896010, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM75GB12T422892010
12 553.77 
Доступность: 71 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM75GB12T422892010, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

ВерсияD61 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
19 370.79 
Доступность: 27 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM75GB12V 22892013, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

ВерсияD61 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
17 391.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM75GB176D 22890850, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM75GB17E4 22895030
19 616.37 
Доступность: 23 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM75GB17E4 22895030, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM800GA125D 03071 21915710
135 744.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM800GA125D 03071 21915710, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; винтами" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM800GA126D 22890405
79 814.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM800GA126D 22890405, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; винтами" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM800GA176D 22890435
84 099.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM800GA176D 22890435, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 600А; винтами" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM900GA12E4 22892130
76 343.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM900GA12E4 22892130, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 900А; винтами" 1.

Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток15А Класс напряжения1,2кВ КорпусSKYPER® МонтажPCB
90 632.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKYPER 12 PRESS-FIT 300A/1200V L5066601, Module: gate driver board; SKYPER®; PCB; 1.2kV; 14.4÷15.6VDC; 15A" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж