Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 88

Производитель
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM301MLI07E4 23918920
81 359.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIM301MLI07E4 23918920, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM301MLI12E4 23918880
93 862.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIM301MLI12E4 23918880, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM301TMLI12E4B 23918960
83 413.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIM301TMLI12E4B 23918960, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM304GD12T4D 23916500
125 958.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIM304GD12T4D 23916500, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM400GD126DLM 23916550
194 068.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIM400GD126DLM 23916550, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM400GD126DM 23916530
218 327.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIM400GD126DM 23916530, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM401MLI07E4 23918910
97 033.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIM401MLI07E4 23918910, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM401TMLI12E4B 23918950
99 647.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIM401TMLI12E4B 23918950, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GAL12F4 22896040
13 267.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM100GAL12F4 22896040, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GAL12T422892600
12 662.51 
Доступность: 5 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM100GAL12T422892600, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GAL17E4 22895100
11 848.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM100GAL17E4 22895100, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GAR12F4 22896030
13 267.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM100GAR12F4 22896030, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GAR17E4 22895130
15 320.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM100GAR17E4 22895130, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 100А" 1.

ВерсияD93 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2N Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
26 911.96 
Доступность: 127 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM100GB125DN, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GB12F4 22896020
20 526.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM100GB12F4 22896020, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GB12T422892020
15 028.61 
Доступность: 49 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM100GB12T422892020, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GB12T4G 22892030
23 697.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM100GB12T4G 22892030, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GB12V 22892023
19 220.84 
Доступность: 40 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM100GB12V 22892023, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

ВерсияD61 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
25 190.76 
Доступность: 46 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM100GB176D 22890855, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GB17E4 22895040
20 713.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM100GB17E4 22895040, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж