Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 88

Производитель
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM301MLI07E4 23918920
88 999.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIM301MLI07E4 23918920, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM301MLI12E4 23918880
102 675.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIM301MLI12E4 23918880, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM301TMLI12E4B 23918960
91 245.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIM301TMLI12E4B 23918960, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM304GD12T4D 23916500
137 785.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIM304GD12T4D 23916500, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM400GD126DLM 23916550
212 291.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIM400GD126DLM 23916550, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM400GD126DM 23916530
238 829.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIM400GD126DM 23916530, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM401MLI07E4 23918910
106 145.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIM401MLI07E4 23918910, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM401TMLI12E4B 23918950
109 004.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIM401TMLI12E4B 23918950, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GAL12F4 22896040
14 513.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM100GAL12F4 22896040, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GAL12T422892600
13 851.52 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM100GAL12T422892600, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GAL17E4 22895100
12 961.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM100GAL17E4 22895100, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GAR12F4 22896030
14 513.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM100GAR12F4 22896030, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GAR17E4 22895130
16 759.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM100GAR17E4 22895130, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 100А" 1.

ВерсияD93 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2N Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
29 439.00 
Доступность: 185 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM100GB125DN, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GB12F4 22896020
22 453.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM100GB12F4 22896020, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GB12T422892020
16 439.81 
Доступность: 62 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM100GB12T422892020, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GB12T4G 22892030
25 922.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM100GB12T4G 22892030, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GB12V 22892023
21 025.68 
Доступность: 40 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM100GB12V 22892023, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

ВерсияD61 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
27 556.18 
Доступность: 46 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM100GB176D 22890855, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GB17E4 22895040
22 658.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM100GB17E4 22895040, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж