Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 87

Производитель
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Мощность30кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
31 843.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 39AC126V20 25230940, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-фазный мост IGBT,термистор NTC" 48.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Мощность30кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
27 353.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 39AC12T4V1 25231450, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 48.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39AC12T7V1 25231070
99 614.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 39AC12T7V1 25231070, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

Конструкция диодадиод/тиристор/БТИЗ КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39AHB16V1 25230190
50 827.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 39AHB16V1 25230190, Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/тиристор/БТИЗ КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39AHB16V3 25231180
52 869.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 39AHB16V3 25231180, Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 1,6кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39ANB16V1 25230180
56 135.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 39ANB16V1 25230180, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39GA12T4V1 25232770
55 114.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 39GA12T4V1 25232770, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x3" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39GB12E4V1 M20
85 325.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 39GB12E4V1 M20, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39GB12T7V1 25241222
83 487.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 39GB12T7V1 25241222, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39GB12VV1 25241220
99 204.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 39GB12VV1 25241220, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39MLI07E3V1 25238000
78 792.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 39MLI07E3V1 25238000, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39MLI12T4V1 25230510
83 487.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 39MLI12T4V1 25230510, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39TMLI12T4V2 25232780
82 876.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 39TMLI12T4V2 25232780, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM120GD176D 23916470
127 783.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIM120GD176D 23916470, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 125А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM200GD126D 23916200
103 899.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIM200GD126D 23916200, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 180А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM201MLI12E4 23918890
81 446.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIM201MLI12E4 23918890, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM220GD176DH4 23916480
201 268.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIM220GD176DH4 23916480, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 250А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM270GD176D 23916120
214 333.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIM270GD176D 23916120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3,термистор" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM300GD126D 23916190
186 573.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIM300GD126D 23916190, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM300GD126DL 23916490
160 852.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIM300GD126DL 23916490, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж