Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

Транзисторы многоканальные - 983

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
SIZ926DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 40/60А
0.0
SIZ926DT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19/41нC МонтажSMD Напряжение сток-исток25В
13908 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIZ926DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 40/60А" 1.

SIZ980BDT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В
0.0
SIZ980BDT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18/79нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
17165 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIZ980BDT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В" 1.

SIZ980DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В
0.0
SIZ980DT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18/77нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
16637 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIZ980DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В" 1.

SIZ998DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В
0.0
SIZ998DT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18/44,3нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
15933 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIZ998DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В" 1.

SIZF300DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В
0.0
SIZF300DT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/62нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
13644 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIZF300DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В" 1.

SIZF906ADT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А
0.0
SIZF906ADT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора49/200нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
16461 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIZF906ADT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А" 1.

SIZF906DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А
0.0
SIZF906DT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора49/200нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
21831 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIZF906DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А" 1.

SIZF914DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 25В
0.0
SIZF914DT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21/98нC МонтажSMD Напряжение сток-исток25В
18662 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIZF914DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 25В" 1.

SIZF916DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В
0.0
SIZF916DT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/95нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
16637 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIZF916DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В" 1.

SIZF918DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В
0.0
SIZF918DT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/56нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
16637 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIZF918DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В" 1.

SP8J5FRATB, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -7А; Idm: -28А; 2Вт; SO8; ESD
0.0
SP8J5FRATB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSO8
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SP8J5FRATB, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -7А; Idm: -28А; 2Вт; SO8; ESD" 1.

SP8K24FRATB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 45В; 6А; Idm: 24А; 2Вт; SOP8; ESD
0.0
SP8K24FRATB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,4нC КорпусSOP8
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SP8K24FRATB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 45В; 6А; Idm: 24А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

SP8K31FRATB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,5А; Idm: 14А; 2Вт; SOP8; ESD
0.0
SP8K31FRATB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,7нC КорпусSOP8
13908 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SP8K31FRATB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,5А; Idm: 14А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

SP8K31HZGTB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,5А; Idm: 14А; 2Вт; SOP8; ESD
0.0
SP8K31HZGTB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,7нC КорпусSOP8
23327 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SP8K31HZGTB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,5А; Idm: 14А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

SP8K32HZGTB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,5А; Idm: 18А; 2Вт; SOP8; ESD
0.0
SP8K32HZGTB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусSOP8
25792 ₽
Доступность: 2372 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SP8K32HZGTB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,5А; Idm: 18А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

SP8K33FRATB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 5А; Idm: 20А; 2Вт; SOP8; ESD
0.0
SP8K33FRATB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSOP8
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SP8K33FRATB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 5А; Idm: 20А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

SP8K33HZGTB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 5А; Idm: 20А; 2Вт; SOP8; ESD
0.0
SP8K33HZGTB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSOP8
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SP8K33HZGTB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 5А; Idm: 20А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

SP8K52FRATB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 3А; Idm: 12А; 2Вт; SOP8; ESD
0.0
SP8K52FRATB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,5нC КорпусSOP8
13908 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SP8K52FRATB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 3А; Idm: 12А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

SP8M10FRATB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 7/-4,5А; Idm: 18÷28А; 2Вт
0.0
SP8M10FRATB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,4/8,5нC КорпусSOP8 МонтажSMD
13820 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SP8M10FRATB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 7/-4,5А; Idm: 18÷28А; 2Вт" 1.

SP8M21FRATB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 45/-45В; 6/-4А; Idm: 16÷24А; 2Вт
0.0
SP8M21FRATB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,4/20нC КорпусSOP8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SP8M21FRATB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 45/-45В; 6/-4А; Idm: 16÷24А; 2Вт" 1.

SP8M6FRATB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 5/-3,5А; Idm: 14÷20А; 2Вт
0.0
SP8M6FRATB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,9/5,5нC КорпусSOP8 МонтажSMD
13908 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SP8M6FRATB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 5/-3,5А; Idm: 14÷20А; 2Вт" 1.

SP8M8FRATB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 6/-4,5А; Idm: 18÷24А; 2Вт
0.0
SP8M8FRATB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,2/8,5нC КорпусSOP8 МонтажSMD
13732 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SP8M8FRATB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 6/-4,5А; Idm: 18÷24А; 2Вт" 1.

SQ1539EH-T1_GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 850/-850мА
0.0
SQ1539EH-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6/1,4нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
7130 ₽
Доступность: 4600 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SQ1539EH-T1_GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 850/-850мА" 1.

SQ4282EY-T1_BE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А; Idm: 32А
0.0
SQ4282EY-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора47нC КорпусSO8 МонтажSMD
20687 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SQ4282EY-T1_BE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А; Idm: 32А" 1.

Показать еще 24 товара
Категории