Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

Транзисторы многоканальные - 983

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
SI5908DC-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 5,9А; Idm: 20А
0.0
SI5908DC-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,5нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI5908DC-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 5,9А; Idm: 20А" 1.

SI5922DU-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 6А; Idm: 24А
0.0
SI5922DU-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI5922DU-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 6А; Idm: 24А" 1.

SI5935CDC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -4А; Idm: -10А; 2Вт; ChipFET
0.0
SI5935CDC-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC КорпусChipFET МонтажSMD
8099 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI5935CDC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -4А; Idm: -10А; 2Вт; ChipFET" 1.

SI5936DU-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 6А; Idm: 25А
0.0
SI5936DU-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI5936DU-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 6А; Idm: 25А" 1.

SI5948DU-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 6А; Idm: 10А; 7Вт
0.0
SI5948DU-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI5948DU-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 6А; Idm: 10А; 7Вт" 1.

SI6562CDQ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 4,2/-4,9А
0.0
SI6562CDQ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23/51нC КорпусTSSOP8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI6562CDQ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 4,2/-4,9А" 1.

SI6913DQ-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -12В; -5,8А; 1,14Вт
0.0
SI6913DQ-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусTSSOP8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI6913DQ-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -12В; -5,8А; 1,14Вт" 1.

SI6913DQ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -12В; -5,8А; 1,14Вт
0.0
SI6913DQ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусTSSOP8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI6913DQ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -12В; -5,8А; 1,14Вт" 1.

SI6926ADQ-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 3,6А; 1Вт; TSSOP8
0.0
SI6926ADQ-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,5нC КорпусTSSOP8 МонтажSMD
25528 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI6926ADQ-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 3,6А; 1Вт; TSSOP8" 1.

SI6926ADQ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,5А; Idm: 20А
0.0
SI6926ADQ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,5нC КорпусTSSOP8 МонтажSMD
11444 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI6926ADQ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,5А; Idm: 20А" 1.

SI6968BEDQ-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 6,5А; Idm: 30А
0.0
SI6968BEDQ-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусTSSOP8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI6968BEDQ-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 6,5А; Idm: 30А" 1.

SI6968BEDQ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 6,5А; Idm: 30А
0.0
SI6968BEDQ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусTSSOP8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI6968BEDQ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 6,5А; Idm: 30А" 1.

SI7212DN-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 6,8А; Idm: 20А
0.0
SI7212DN-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI7212DN-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 6,8А; Idm: 20А" 1.

SI7212DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 6,8А; Idm: 20А
0.0
SI7212DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI7212DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 6,8А; Idm: 20А" 1.

SI7216DN-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 6А; Idm: 20А
0.0
SI7216DN-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI7216DN-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 6А; Idm: 20А" 1.

SI7216DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 6А; Idm: 20А
0.0
SI7216DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI7216DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 6А; Idm: 20А" 1.

SI7220DN-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 4,8А; Idm: 20А
0.0
SI7220DN-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI7220DN-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 4,8А; Idm: 20А" 1.

SI7220DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 4,8А; Idm: 20А
0.0
SI7220DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI7220DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 4,8А; Idm: 20А" 1.

SI7223DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -30В; -6А; Idm: -40А
0.0
SI7223DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI7223DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -30В; -6А; Idm: -40А" 1.

SI7232DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 25А; Idm: 40А
0.0
SI7232DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI7232DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 25А; Idm: 40А" 1.

SI7234DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 12В; 60А; Idm: 80А
0.0
SI7234DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,12мкC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI7234DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 12В; 60А; Idm: 80А" 1.

SI7252ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 23А; Idm: 70А
0.0
SI7252ADP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26,5нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI7252ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 23А; Idm: 70А" 1.

SI7252DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 29,2А; Idm: 80А
0.0
SI7252DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI7252DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 29,2А; Idm: 80А" 1.

SI7272DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 25А; Idm: 60А
0.0
SI7272DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI7272DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 25А; Idm: 60А" 1.

Показать еще 24 товара
Категории