Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

Транзисторы многоканальные - 983

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
SI4931DY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -12В; -8,9А; 2Вт; SO8
0.0
SI4931DY-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC КорпусSO8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI4931DY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -12В; -8,9А; 2Вт; SO8" 1.

SI4931DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -12В; -8,9А; 2Вт; SO8
0.0
SI4931DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC КорпусSO8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI4931DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -12В; -8,9А; 2Вт; SO8" 1.

SI4932DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А; Idm: 30А
0.0
SI4932DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусSO8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI4932DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А; Idm: 30А" 1.

SI4936BDY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 6,9А; Idm: 30А
0.0
SI4936BDY-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSO8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI4936BDY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 6,9А; Idm: 30А" 1.

SI4936CDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,6А; Idm: 20А
0.0
SI4936CDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC КорпусSO8 МонтажSMD
12676 ₽
Доступность: 1450 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI4936CDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,6А; Idm: 20А" 1.

SI4943BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -8,4А; 2Вт; SO8
0.0
SI4943BDY-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSO8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI4943BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -8,4А; 2Вт; SO8" 1.

SI4943CDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -30А
0.0
SI4943CDY-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC КорпусSO8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI4943CDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -30А" 1.

SI4943CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -30А
0.0
SI4943CDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC КорпусSO8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI4943CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -30А" 1.

SI4946BEY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,4А; 3,7Вт; SO8
0.0
SI4946BEY-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSO8 МонтажSMD
24120 ₽
Доступность: 2970 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI4946BEY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,4А; 3,7Вт; SO8" 1.

SI4946BEY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,4А; 3,7Вт; SO8
0.0
SI4946BEY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSO8 МонтажSMD
34595 ₽
Доступность: 694 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI4946BEY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,4А; 3,7Вт; SO8" 1.

SI4946CDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 6,1А; Idm: 25А
0.0
SI4946CDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSO8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI4946CDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 6,1А; Idm: 25А" 1.

SI4948BEY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -60В; -3,1А; 2,4Вт
0.0
SI4948BEY-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусSO8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI4948BEY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -60В; -3,1А; 2,4Вт" 1.

SI4963BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,5А; 2Вт; SO8
0.0
SI4963BDY-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусSO8 МонтажSMD
23327 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI4963BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,5А; 2Вт; SO8" 1.

SI4963BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,5А; 2Вт; SO8
0.0
SI4963BDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусSO8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI4963BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,5А; 2Вт; SO8" 1.

SI5504BDC-T1-E3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 4/-3,7А
0.0
SI5504BDC-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI5504BDC-T1-E3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 4/-3,7А" 1.

SI5504BDC-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 4/-3,7А
0.0
SI5504BDC-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI5504BDC-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 4/-3,7А" 1.

SI5513CDC-T1-E3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 4/-3,7А
0.0
SI5513CDC-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,6/4,2нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI5513CDC-T1-E3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 4/-3,7А" 1.

SI5513CDC-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 4/-3,7А
0.0
SI5513CDC-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,6/4,2нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI5513CDC-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 4/-3,7А" 1.

SI5515CDC-T1-E3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 4/-4А; 3,1Вт
0.0
SI5515CDC-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11/11,3нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI5515CDC-T1-E3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 4/-4А; 3,1Вт" 1.

SI5515CDC-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 4/-4А; 3,1Вт
0.0
SI5515CDC-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11/11,3нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI5515CDC-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 4/-4А; 3,1Вт" 1.

SI5517DU-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 6/-6А; 8,3Вт
0.0
SI5517DU-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14/16нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI5517DU-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 6/-6А; 8,3Вт" 1.

SI5902BDC-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4А; Idm: 10А
0.0
SI5902BDC-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI5902BDC-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4А; Idm: 10А" 1.

SI5902BDC-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4А; Idm: 10А
0.0
SI5902BDC-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI5902BDC-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4А; Idm: 10А" 1.

SI5908DC-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 5,9А; Idm: 20А
0.0
SI5908DC-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,5нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI5908DC-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 5,9А; Idm: 20А" 1.

Показать еще 24 товара
Категории