Товары из категории транзисторы многоканальные, стр.23

Производитель

Многоканальные транзисторы — это интегрированные полупроводниковые сборки, объединяющие два или более транзистора в одном корпусе, предназначенные для компактной коммутации нескольких сигналов или нагрузок. Используются в системах управления, драйверах светодиодов, интерфейсах ПЛК, HMI и IoT-устройствах.

Позволяют сэкономить место на плате и упростить монтаж.

В каталоге 7-el.ru — многоканальные транзисторы от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Diodes Inc., STMicroelectronics, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
MMBT7002KDW-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,44нC КорпусSOT363
26.88 
Доступность: 1720 шт.
+

Минимальное количество для товара "MMBT7002KDW, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,35Вт; ESD" 1.

0.0
MMFT8472DW-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
37.15 
Доступность: 3147 шт.
+

Минимальное количество для товара "MMFT8472DW, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 60/-50В; 0,115/-0,13А; 0,2Вт" 1.

0.0
MMFTC6333-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,7нC КорпусSOT26 МонтажSMD
77.47 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MMFTC6333, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 2,5/-2А; Idm: 8÷-8А" 1.

0.0
MMFTC6420-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,3нC КорпусSOT26, SOT457 МонтажSMD
130.43 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MMFTC6420, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 3/-2,2А; Idm: 12÷-6А" 1.

0.0
MMFTN6190KDW-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC КорпусSOT363
26.09 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MMFTN6190KDW, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1А; Idm: 9,6А; 0,4Вт; SOT363" 5.

0.0
MMFTN620KDW-AQ-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT363 МонтажSMD
49.80 
Доступность: 3000 шт.
+

Минимальное количество для товара "MMFTN620KDW-AQ, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,35А; Idm: 0,5А; 0,2Вт; ESD" 1.

0.0
MMFTN620KDW-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT363 МонтажSMD
26.09 
Доступность: 2453 шт.
+

Минимальное количество для товара "MMFTN620KDW, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,35А; Idm: 0,5А; 0,2Вт; ESD" 1.

0.0
MMIX2F60N50P3
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора96нC КорпусSMPD МонтажSMD
6 000.00 
Доступность: 20 шт.
+

Минимальное количество для товара "MMIX2F60N50P3, Транзистор: N-MOSFET x2; Polar3™; полевой; 500В; 30А; Idm: 150А" 1.

0.0
NDC7001C
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5/2,2нC КорпусSuperSOT-6
79.84 
Доступность: 1248 шт.
+

Минимальное количество для товара "NDC7001C, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В" 1.

0.0
NDC7002N
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1нC КорпусSuperSOT-6 МонтажSMD
59.29 
Доступность: 2273 шт.
+

Минимальное количество для товара "NDC7002N, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6" 1.

0.0
NDC7003P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,2нC КорпусSuperSOT-6 МонтажSMD
51.38 
Доступность: 3000 шт.
+

Минимальное количество для товара "NDC7003P, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -0,34А; 0,96Вт; SuperSOT-6" 1.

0.0
NDS9948
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусSO8 МонтажSMD
162.85 
Доступность: 1602 шт.
+

Минимальное количество для товара "NDS9948, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -2А; 2Вт; SO8" 1.

0.0
NTGD1100LT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
146.25 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTGD1100LT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 8В; 2,4А; Idm: 10А; 430мВт; TSOP6" 1.

0.0
NTGD3148NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
101.98 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTGD3148NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 2,2А; 0,9Вт; TSOP6" 1.

0.0
NTGD4167CT1G
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD
104.35 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTGD4167CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В" 1.

0.0
NTHC5513T1G
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC КорпусChipFET
238.74 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTHC5513T1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.

0.0
NTHD3100CT1G
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,4нC КорпусChipFET
234.78 
Доступность: 1612 шт.
+

Минимальное количество для товара "NTHD3100CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.

0.0
NTHD3102CT1G
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,8/6,6нC КорпусChipFET
177.08 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTHD3102CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.

0.0
NTHD4502NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,8/6,6нC КорпусChipFET МонтажSMD
200.00 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTHD4502NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 2,2/2,9А; Idm: 16÷12,6А" 1.

0.0
NTHD4508NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,6нC КорпусChipFET МонтажSMD
153.36 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTHD4508NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 2,2А; Idm: 12А; 590мВт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (20)
Хиты продаж