Москва
 +7(993)080-09-37

Товары из категории транзисторы многоканальные - страница 32

Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
PMDPB95XNE2X, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 30В; 1,7А; Idm: 11А; ESD
0.0
PMDPB95XNE2X
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,5нC КорпусDFN2020-6, HUSON6, SOT1118
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMDPB95XNE2X, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 30В; 1,7А; Idm: 11А; ESD" 1.

PMDT290UCE,115, Транзистор: N/P-MOSFET; Trench; полевой; 20/-20В; 500/-350мА
0.0
PMDT290UCE.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,68/1,14нC КорпусSOT666 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMDT290UCE,115, Транзистор: N/P-MOSFET; Trench; полевой; 20/-20В; 500/-350мА" 1.

PMDT290UCEH, Транзистор: N/P-MOSFET; Trench; полевой; 20/-20В; 500/-350мА
0.0
PMDT290UCEH
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,68/1,14нC КорпусSOT666 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMDT290UCEH, Транзистор: N/P-MOSFET; Trench; полевой; 20/-20В; 500/-350мА" 1.

PMDT290UNE,115, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 20В; 500мА; Idm: 3,2А
0.0
PMDT290UNE.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,68нC КорпусSOT666 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMDT290UNE,115, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 20В; 500мА; Idm: 3,2А" 1.

PMDXB1200UPEZ, Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; полевой; -30В; -260мА; Idm: -1,7А
0.0
PMDXB1200UPEZ
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,2нC КорпусDFN1010B-6, SOT1216
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMDXB1200UPEZ, Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; полевой; -30В; -260мА; Idm: -1,7А" 1.

PMDXB550UNEZ, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 30В; 370мА; Idm: 2,3А
0.0
PMDXB550UNEZ
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,05нC КорпусDFN1010B-6, SOT1216
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMDXB550UNEZ, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 30В; 370мА; Idm: 2,3А" 1.

PMDXB600UNELZ, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 20В; 400мА; Idm: 2,5А
0.0
PMDXB600UNELZ
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,7нC КорпусDFN1010B-6, SOT1216
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMDXB600UNELZ, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 20В; 400мА; Idm: 2,5А" 1.

PMDXB600UNEZ, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 20В; 400мА; Idm: 2,5А
0.0
PMDXB600UNEZ
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,7нC КорпусDFN1010B-6, SOT1216
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMDXB600UNEZ, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 20В; 400мА; Idm: 2,5А" 1.

PMDXB950UPEZ, Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; полевой; -20В; -300мА; Idm: -2А
0.0
PMDXB950UPEZ
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,1нC КорпусDFN1010B-6, SOT1216
73.39 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMDXB950UPEZ, Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; полевой; -20В; -300мА; Idm: -2А" 1.

PMGD280UN,115, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,55А; 400мВт
0.0
PMGD280UN.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,89нC КорпусSC88, SOT363, TSSOP6 МонтажSMD
39.76 ₽
Доступность: 4476 шт.
 

Минимальное количество для товара "PMGD280UN,115, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,55А; 400мВт" 1.

PMGD290UCEAX, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В
0.0
PMGD290UCEAX
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,68/1,14нC КорпусSC88, SOT363, TSSOP6
66.51 ₽
Доступность: 3172 шт.
 

Минимальное количество для товара "PMGD290UCEAX, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.

PMGD290XN,115, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой
0.0
PMGD290XN.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяPMGD290XN,115 Полярностьполевой
49.69 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMGD290XN,115, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой" 1.

PMGD780SN,115, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,31А; 410мВт
0.0
PMGD780SN.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,05нC КорпусSC88, SOT363, TSSOP6 МонтажSMD
56.57 ₽
Доступность: 1191 шт.
 

Минимальное количество для товара "PMGD780SN,115, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,31А; 410мВт" 1.

PSMN013-40VLDX, Транзистор: N-MOSFET x2; NextPowerS3; полевой; 40В; 30А; Idm: 169А
0.0
PSMN013-40VLDX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19,4нC КорпусLFPAK56D, SOT1205 МонтажSMD
168.96 ₽
Доступность: 1500 шт.
 

Минимальное количество для товара "PSMN013-40VLDX, Транзистор: N-MOSFET x2; NextPowerS3; полевой; 40В; 30А; Idm: 169А" 1.

PSMN4R2-40VSHX, Транзистор: N-MOSFET x2; NextPowerS3; полевой; 40В; 69,5А; 85Вт
0.0
PSMN4R2-40VSHX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора37нC КорпусLFPAK56D, SOT1205 МонтажSMD
362.39 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PSMN4R2-40VSHX, Транзистор: N-MOSFET x2; NextPowerS3; полевой; 40В; 69,5А; 85Вт" 1.

QH8JA1TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -5А; Idm: -18А; 1,5Вт; TSMT8
0.0
QH8JA1TCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,2нC КорпусTSMT8 МонтажSMD
195.72 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QH8JA1TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -5А; Idm: -18А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

QH8JB5TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -40В; -5А; Idm: -20А; 1,5Вт; TSMT8
0.0
QH8JB5TCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17,2нC КорпусTSMT8 МонтажSMD
220.18 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QH8JB5TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -40В; -5А; Idm: -20А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

QH8JC5TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -3,5А; Idm: -14А; 1,5Вт
0.0
QH8JC5TCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17,3нC КорпусTSMT8 МонтажSMD
256.12 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QH8JC5TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -3,5А; Idm: -14А; 1,5Вт" 1.

QH8K26TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 7А; Idm: 18А; 2,6Вт; TSMT8
0.0
QH8K26TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,9нC КорпусTSMT8
149.85 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QH8K26TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 7А; Idm: 18А; 2,6Вт; TSMT8" 1.

QH8KA2TCR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 12А; 1,5Вт; TSMT8
0.0
QH8KA2TCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,4нC КорпусTSMT8 МонтажSMD
51.22 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QH8KA2TCR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 12А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

Показать еще 20 товаров

Многоканальные транзисторы — это интегрированные полупроводниковые сборки, объединяющие два или более транзистора в одном корпусе, предназначенные для компактной коммутации нескольких сигналов или нагрузок. Используются в системах управления, драйверах светодиодов, интерфейсах ПЛК, HMI и IoT-устройствах.

Позволяют сэкономить место на плате и упростить монтаж.

В каталоге 7-el.ru — многоканальные транзисторы от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Diodes Inc., STMicroelectronics, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы многоканальные
Транзисторные модули MOSFET
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом типа P
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж