Товары из категории транзисторы многоканальные - страница 43

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
111.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ256DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 70В; 31,8А; Idm: 60А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
108.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ260DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 80В; 24,7А; Idm: 60А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
131.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ270DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 19,5А; Idm: 40А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/12нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
108.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ300DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 28/11А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15/26,7нC МонтажSMD Напряжение сток-исток25В
77.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ320DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 30/40А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20,1нC МонтажSMD Напряжение сток-исток25В
71.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ322DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 30А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27,9/12,2нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
70.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ340ADT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 33,4/69,7А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23,5/12,6нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
58.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ340BDT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 36/69,3А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19/35нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
69.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ340DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 30/40А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12,2нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
70.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ342ADT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 33,4А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
84.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ342DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10/20нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
59.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ346DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 17/30А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18,2нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
106.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ348DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20,3нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
105.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ350DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12/23нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
125.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ704DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 12/16А; 20/30Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18/60нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
140.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ710DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 16/35А; 27/48Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21/65нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
148.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ902DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 16А; Idm: 50÷80А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12/23нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
116.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ904DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 12/16А; 20/33Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21/105нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
123.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ918DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 16/28А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19/41нC МонтажSMD Напряжение сток-исток25В
123.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ926DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 40/60А" 3000.

Показать еще 20 товаров

Многоканальные транзисторы — это интегрированные полупроводниковые сборки, объединяющие два или более транзистора в одном корпусе, предназначенные для компактной коммутации нескольких сигналов или нагрузок. Используются в системах управления, драйверах светодиодов, интерфейсах ПЛК, HMI и IoT-устройствах.

Позволяют сэкономить место на плате и упростить монтаж.

В каталоге 7-el.ru — многоканальные транзисторы от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Diodes Inc., STMicroelectronics, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж