Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы многоканальные - страница 42

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы многоканальные
Транзисторные модули MOSFET
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом типа P
Фильтры товаров
Тип транзистора
Полярность
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Монтаж
Сопротивление в открытом состоянии
Вид канала
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
Усиление
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
SIA913ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -12В; -4,5А; 6,5Вт
0.0
SIA913ADJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC Код производителяSIA913ADJ-T1-GE3 МонтажSMD
44.74 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA913ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -12В; -4,5А; 6,5Вт" 3000.

SIA918EDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 15А
0.0
SIA918EDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,5нC Код производителяSIA918EDJ-T1-GE3 МонтажSMD
36.22 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA918EDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 15А" 3000.

SIA923AEDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,5А; 7,8Вт
0.0
SIA923AEDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC Код производителяSIA923AEDJ-T1-GE3 МонтажSMD
54.69 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA923AEDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,5А; 7,8Вт" 3000.

SIA923EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,5А; 7,8Вт
0.0
SIA923EDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC Код производителяSIA923EDJ-T1-GE3 МонтажSMD
52.56 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA923EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,5А; 7,8Вт" 3000.

SIA928DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 30А
0.0
SIA928DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC Код производителяSIA928DJ-T1-GE3 МонтажSMD
38.35 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA928DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 30А" 3000.

SIA938DJT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,5А; Idm: 30А
0.0
SIA938DJT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,5нC Код производителяSIA938DJT-T1-GE3 МонтажSMD
43.32 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA938DJT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,5А; Idm: 30А" 3000.

SIL2301-TP, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -2,3А; Idm: -10А; 1,25Вт
0.0
SIL2301-TP
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC Код производителяSIL2301-TP
66.76 ₽
Доступность: 1032 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIL2301-TP, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -2,3А; Idm: -10А; 1,25Вт" 1.

SIL2308-TP, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 5/-4А; 1Вт; SOT23-6; ESD
0.0
SIL2308-TP
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11/12нC Код производителяSIL2308-TP
56.11 ₽
Доступность: 85 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIL2308-TP, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 5/-4А; 1Вт; SOT23-6; ESD" 1.

SIR770DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А
0.0
SIR770DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC Код производителяSIR770DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
118.61 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR770DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А" 3000.

SIRB40DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 40А; Idm: 100А
0.0
SIRB40DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора93нC Код производителяSIRB40DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
289.06 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRB40DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 40А; Idm: 100А" 1.

SIS932EDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 6А; Idm: 40А
0.0
SIS932EDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC Код производителяSIS932EDN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
56.11 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS932EDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 6А; Idm: 40А" 1.

SIS990DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 9,7А; Idm: 20А
0.0
SIS990DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC Код производителяSIS990DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
212.36 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS990DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 9,7А; Idm: 20А" 1.

SISB46DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 27,3А; Idm: 70А
0.0
SISB46DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC Код производителяSISB46DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
191.05 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISB46DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 27,3А; Idm: 70А" 1.

SISF00DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 120А
0.0
SISF00DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора53нC Код производителяSISF00DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
262.78 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISF00DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 120А" 1.

SISF02DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А; Idm: 140А
0.0
SISF02DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC Код производителяSISF02DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
309.66 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISF02DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А; Idm: 140А" 1.

SISF06DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 81А; Idm: 190А
0.0
SISF06DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC Код производителяSISF06DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
256.39 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISF06DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 81А; Idm: 190А" 1.

SISF20DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 41А; Idm: 100А
0.0
SISF20DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC Код производителяSISF20DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
346.59 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISF20DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 41А; Idm: 100А" 1.

SIZ200DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 61А; Idm: 130А
0.0
SIZ200DT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30/28нC Код производителяSIZ200DT-T1-GE3 МонтажSMD
94.46 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ200DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 61А; Idm: 130А" 3000.

SIZ240DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 48А; Idm: 100А
0.0
SIZ240DT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/23нC Код производителяSIZ240DT-T1-GE3 МонтажSMD
120.03 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ240DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 48А; Idm: 100А" 3000.

SIZ250DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 38А; Idm: 80А
0.0
SIZ250DT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC Код производителяSIZ250DT-T1-GE3 МонтажSMD
110.80 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ250DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 38А; Idm: 80А" 3000.

Показать еще 20 товаров

Многоканальные транзисторы — это интегрированные полупроводниковые сборки, объединяющие два или более транзистора в одном корпусе, предназначенные для компактной коммутации нескольких сигналов или нагрузок. Используются в системах управления, драйверах светодиодов, интерфейсах ПЛК, HMI и IoT-устройствах.

Позволяют сэкономить место на плате и упростить монтаж.

В каталоге 7-el.ru — многоканальные транзисторы от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Diodes Inc., STMicroelectronics, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж