Товары из категории транзисторы многоканальные - страница 38

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4931DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -12В; -8,9А; 2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4932DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А; Idm: 30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4936BDY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 6,9А; Idm: 30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC КорпусSO8 МонтажSMD
147.55 
Доступность: 2829 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4936CDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,6А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4943BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -8,4А; 2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4943CDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4943CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSO8 МонтажSMD
252.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4946BEY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,4А; 3,7Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSO8 МонтажSMD
279.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4946BEY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,4А; 3,7Вт; SO8" 5.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4946CDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 6,1А; Idm: 25А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4948BEY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -60В; -3,1А; 2,4Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусSO8 МонтажSMD
212.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4963BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,5А; 2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4963BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,5А; 2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5504BDC-T1-E3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 4/-3,7А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5504BDC-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 4/-3,7А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,6/4,2нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5513CDC-T1-E3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 4/-3,7А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,6/4,2нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5513CDC-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 4/-3,7А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11/11,3нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5515CDC-T1-E3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 4/-4А; 3,1Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11/11,3нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5515CDC-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 4/-4А; 3,1Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14/16нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5517DU-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 6/-6А; 8,3Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Многоканальные транзисторы — это интегрированные полупроводниковые сборки, объединяющие два или более транзистора в одном корпусе, предназначенные для компактной коммутации нескольких сигналов или нагрузок. Используются в системах управления, драйверах светодиодов, интерфейсах ПЛК, HMI и IoT-устройствах.

Позволяют сэкономить место на плате и упростить монтаж.

В каталоге 7-el.ru — многоканальные транзисторы от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Diodes Inc., STMicroelectronics, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж