Товары из категории транзисторы многоканальные, стр.6

Производитель

Многоканальные транзисторы — это интегрированные полупроводниковые сборки, объединяющие два или более транзистора в одном корпусе, предназначенные для компактной коммутации нескольких сигналов или нагрузок. Используются в системах управления, драйверах светодиодов, интерфейсах ПЛК, HMI и IoT-устройствах.

Позволяют сэкономить место на плате и упростить монтаж.

В каталоге 7-el.ru — многоканальные транзисторы от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Diodes Inc., STMicroelectronics, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
FDS9934C
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9/12нC КорпусSO8
124.90 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FDS9934C, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.

0.0
FDS9945
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусSO8 МонтажSMD
98.02 
Доступность: 1290 шт.
+

Минимальное количество для товара "FDS9945, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,5А; 2Вт; SO8" 1.

0.0
FDS9958
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусSO8 МонтажSMD
171.54 
Доступность: 602 шт.
+

Минимальное количество для товара "FDS9958, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -2,9А; 2Вт; SO8" 1.

0.0
FDY1002PZ
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563F МонтажSMD
94.86 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FDY1002PZ, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -0,83А; 0,625Вт; SOT563F" 1.

0.0
FMM150-0075X2F
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности66нс Заряд затвора178нC Конструкция диодадва последовательных диода
3 677.47 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FMM150-0075X2F, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchT2™; полевой; 75В; 120А; Idm: 500А" 1.

0.0
FMM22-05PF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности200нс Заряд затвора50нC Конструкция диодадва последовательных диода
3 448.22 
Доступность: 23 шт.
+

Минимальное количество для товара "FMM22-05PF, Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; полевой; 500В; 13А; Idm: 55А" 1.

0.0
FMM22-06PF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности200нс Заряд затвора58нC Конструкция диодадва последовательных диода
3 132.02 
Доступность: 25 шт.
+

Минимальное количество для товара "FMM22-06PF, Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; полевой; 600В; 12А; Idm: 66А" 1.

0.0
FMM50-025TF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности84нс Заряд затвора78нC Конструкция диодадва последовательных диода
3 130.43 
Доступность: 25 шт.
+

Минимальное количество для товара "FMM50-025TF, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 250В; 30А; Idm: 130А; 84нс" 1.

0.0
FMM75-01F
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности300нс Заряд затвора180нC Конструкция диодадва последовательных диода
3 260.08 
Доступность: 25 шт.
+

Минимальное количество для товара "FMM75-01F, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 75А; 300нс" 1.

0.0
FQS4901TF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,5нC КорпусSO8 МонтажSMD
197.63 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FQS4901TF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 400В; 0,45А; 2Вт; SO8" 1.

0.0
HP8KA1TB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC Конструкция диодаобщий сток КорпусHSOP8
208.70 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "HP8KA1TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 14А; Idm: 28А; 3Вт; HSOP8" 1.

0.0
HP8MA2TB1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/25нC КорпусHSOP8 МонтажSMD
253.75 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "HP8MA2TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 18/-15А; Idm: 48А; 7Вт" 1.

0.0
HS8K11TB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,1/20,2C КорпусuDFN8 МонтажSMD
134.39 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "HS8K11TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 7/11А; Idm: 28÷44А; 2Вт" 1.

0.0
HS8K1TB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6/7,4нC КорпусuDFN8 МонтажSMD
128.85 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "HS8K1TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 10/11А; Idm: 40÷44А; 2Вт" 1.

0.0
IPG20N04S408
Вид каналаобогащенный Заряд затвора28нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
265.61 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPG20N04S408ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; 65Вт" 1.

0.0
IPG20N04S409
Вид каналаобогащенный Заряд затвора21,7нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
136.76 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IPG20N04S409ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; 54Вт" 1.

0.0
IRF7101TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток20В
45.06 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IRF7101TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 3,5А; 2Вт; SO8" 4000.

0.0
IRF7103TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток50В
169.96 
Доступность: 3839 шт.
+

Минимальное количество для товара "IRF7103TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 3А; 2Вт; SO8" 1.

0.0
IRF7105TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
78.26 
Доступность: 2795 шт.
+

Минимальное количество для товара "IRF7105TRPBF, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 25/-25В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8" 1.

0.0
IRF7309TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
139.92 
Доступность: 2285 шт.
+

Минимальное количество для товара "IRF7309TRPBF, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 4/-3А; 1,4Вт; SO8" 1.

0.0
IRF7313TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
157.31 
Доступность: 3529 шт.
+

Минимальное количество для товара "IRF7313TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 6,5А; 2Вт; SO8" 1.

0.0
IRF7314TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток-20В
Свяжитесь с нами насчёт цены
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IRF7314TRPBF, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -5,3А; 2Вт; SO8" 1.

0.0
IRF7316TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток-30В
218.97 
Доступность: 3595 шт.
+

Минимальное количество для товара "IRF7316TRPBF, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8" 1.

0.0
IRF7342TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток-55В
225.30 
Доступность: 304 шт.
+

Минимальное количество для товара "IRF7342TRPBF, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8" 1.

0.0
IRF7343TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
208.70 
Доступность: 6172 шт.
+

Минимальное количество для товара "IRF7343TRPBF, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8" 1.

0.0
IRF7351TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток60В
230.83 
Доступность: 3490 шт.
+

Минимальное количество для товара "IRF7351TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 8А; 2Вт; SO8" 1.

0.0
IRF7379TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
49.80 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IRF7379TRPBF, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 5,8/-4,3А; 2,5Вт; SO8" 4000.

0.0
IRF7380TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток80В
91.70 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IRF7380TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 80В; 3,6А; 2Вт; SO8" 4000.

0.0
IRF7501TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток20В
35.57 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IRF7501TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 2,4А; 1,2Вт; SO8" 1.

0.0
IRF7504TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток-20В
29.25 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IRF7504TRPBF, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -1,7А; 1,25Вт; SO8" 4000.

0.0
IRF7506TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток-30В
37.15 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IRF7506TRPBF, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -1,7А; 1,25Вт; SO8" 4000.

0.0
IRF7530TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток20В
54.55 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IRF7530TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 5,4А; 1,3Вт; SO8" 1.

0.0
IRF8313TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
Свяжитесь с нами насчёт цены
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IRF8313TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 9,7А; 2Вт; SO8" 1.

0.0
IRF8910TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток20В
131.23 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IRF8910TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 10А; 2Вт; SO8" 1.

0.0
IRF9389TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
87.75 
Доступность: 35 шт.
+

Минимальное количество для товара "IRF9389TRPBF, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 6,8/-4,6А; 2Вт; SO8" 1.

0.0
IRL6372TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
86.96 
Доступность: 3952 шт.
+

Минимальное количество для товара "IRL6372TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 8,1А; 2,5Вт; SO8" 1.

0.0
MCQD08N03A-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,3нC КорпусSOP8 МонтажSMD
79.84 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MCQD08N03A-TP, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 5,4А; Idm: 34А; 2,35Вт; SOP8" 1.

0.0
MKE38P600LB
Вид каналаобогащенный Время готовности660нс Заряд затвора0,19мкC Конструкция диодадва последовательных диода КорпусSMPD
7 554.15 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MKE38P600LB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 600В; 50А; SMPD; 660нс" 1.

0.0
MMBT7002DW-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
31.62 
Доступность: 3210 шт.
+

Минимальное количество для товара "MMBT7002DW, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 0,2Вт" 1.

0.0
MMBT7002KDW-AQ-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,44нC КорпусSOT363
22.92 
Доступность: 2775 шт.
+

Минимальное количество для товара "MMBT7002KDW-AQ, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,35Вт; ESD" 1.

0.0
MMBT7002KDW-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,44нC КорпусSOT363
26.88 
Доступность: 1720 шт.
+

Минимальное количество для товара "MMBT7002KDW, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,35Вт; ESD" 1.

0.0
MMFT8472DW-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
37.15 
Доступность: 3147 шт.
+

Минимальное количество для товара "MMFT8472DW, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 60/-50В; 0,115/-0,13А; 0,2Вт" 1.

0.0
MMFTC6333-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,7нC КорпусSOT26 МонтажSMD
77.47 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MMFTC6333, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 2,5/-2А; Idm: 8÷-8А" 1.

0.0
MMFTC6420-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,3нC КорпусSOT26, SOT457 МонтажSMD
130.43 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MMFTC6420, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 3/-2,2А; Idm: 12÷-6А" 1.

0.0
MMFTN6190KDW-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC КорпусSOT363
26.09 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MMFTN6190KDW, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1А; Idm: 9,6А; 0,4Вт; SOT363" 5.

0.0
MMFTN620KDW-AQ-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT363 МонтажSMD
49.80 
Доступность: 3000 шт.
+

Минимальное количество для товара "MMFTN620KDW-AQ, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,35А; Idm: 0,5А; 0,2Вт; ESD" 1.

0.0
MMFTN620KDW-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT363 МонтажSMD
26.09 
Доступность: 2453 шт.
+

Минимальное количество для товара "MMFTN620KDW, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,35А; Idm: 0,5А; 0,2Вт; ESD" 1.

0.0
MMIX2F60N50P3
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора96нC КорпусSMPD МонтажSMD
6 000.00 
Доступность: 20 шт.
+

Минимальное количество для товара "MMIX2F60N50P3, Транзистор: N-MOSFET x2; Polar3™; полевой; 500В; 30А; Idm: 150А" 1.

0.0
NDC7001C
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5/2,2нC КорпусSuperSOT-6
79.84 
Доступность: 1248 шт.
+

Минимальное количество для товара "NDC7001C, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В" 1.

0.0
NDC7002N
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1нC КорпусSuperSOT-6 МонтажSMD
59.29 
Доступность: 2273 шт.
+

Минимальное количество для товара "NDC7002N, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6" 1.

0.0
NDC7003P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,2нC КорпусSuperSOT-6 МонтажSMD
51.38 
Доступность: 3000 шт.
+

Минимальное количество для товара "NDC7003P, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -0,34А; 0,96Вт; SuperSOT-6" 1.

0.0
NDS9948
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусSO8 МонтажSMD
162.85 
Доступность: 1602 шт.
+

Минимальное количество для товара "NDS9948, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -2А; 2Вт; SO8" 1.

0.0
NTGD1100LT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
146.25 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTGD1100LT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 8В; 2,4А; Idm: 10А; 430мВт; TSOP6" 1.

0.0
NTGD3148NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
101.98 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTGD3148NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 2,2А; 0,9Вт; TSOP6" 1.

0.0
NTGD4167CT1G
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD
104.35 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTGD4167CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В" 1.

0.0
NTHC5513T1G
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC КорпусChipFET
238.74 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTHC5513T1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.

0.0
NTHD3100CT1G
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,4нC КорпусChipFET
234.78 
Доступность: 1612 шт.
+

Минимальное количество для товара "NTHD3100CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.

0.0
NTHD3102CT1G
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,8/6,6нC КорпусChipFET
177.08 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTHD3102CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.

0.0
NTHD4502NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,8/6,6нC КорпусChipFET МонтажSMD
200.00 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTHD4502NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 2,2/2,9А; Idm: 16÷12,6А" 1.

0.0
NTHD4508NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,6нC КорпусChipFET МонтажSMD
153.36 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTHD4508NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 2,2А; Idm: 12А; 590мВт" 1.

0.0
NTJD4001NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
67.98 
Доступность: 1789 шт.
+

Минимальное количество для товара "NTJD4001NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,18А; 0,272Вт" 1.

0.0
NTJD4105CT1G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3/4нC
59.29 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTJD4105CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-8В" 1.

0.0
NTJD4105CT2G
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD
90.91 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTJD4105CT2G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-8В" 1.

0.0
NTJD4401NT1G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,3нC КорпусSC70-6, SC88, SOT363
68.77 
Доступность: 4569 шт.
+

Минимальное количество для товара "NTJD4401NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,46А; 0,27Вт; ESD" 1.

0.0
NTJD5121NT1G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,9нC КорпусSC70-6, SC88, SOT363
37.94 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTJD5121NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,295А; 0,25Вт; ESD" 1.

0.0
NTLJD3119CTBG
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента КорпусWDFN6 МонтажSMD
55.34 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTLJD3119CTBG, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 3000.

0.0
NTZD3152PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусSOT563 МонтажSMD
54.55 
Доступность: 1830 шт.
+

Минимальное количество для товара "NTZD3152PT1G, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -0,43А; 0,25Вт; SOT563" 1.

0.0
NTZD3154NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC КорпусSOT563 МонтажSMD
69.57 
Доступность: 1393 шт.
+

Минимальное количество для товара "NTZD3154NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,54А; 0,25Вт; SOT563" 1.

0.0
NTZD3155CT1G
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5/1,7нC КорпусSOT563F
50.59 
Доступность: 3473 шт.
+

Минимальное количество для товара "NTZD3155CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 5.

0.0
NTZD3155CT2G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563F
55.34 
Доступность: 3459 шт.
+

Минимальное количество для товара "NTZD3155CT2G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.

0.0
NTZD5110NT1G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563F МонтажSMD
56.92 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NTZD5110NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,225А; 0,28Вт; SOT563F; ESD" 1.

0.0
NVJD5121NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
34.78 
Доступность: 3050 шт.
+

Минимальное количество для товара "NVJD5121NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,212А; 0,25Вт" 1.

0.0
NVTJD4001NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
60.08 
Доступность: 2910 шт.
+

Минимальное количество для товара "NVTJD4001NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,18А; 0,272Вт" 1.

0.0
NX3008CBKS.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,68/0,72нC КорпусSC88, SOT363, TSSOP6 МонтажSMD
52.96 
Доступность: 2350 шт.
+

Минимальное количество для товара "NX3008CBKS,115, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 0,35/-0,2А; 990мВт" 1.

0.0
NX3008CBKV.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,68/0,72нC КорпусSOT666 МонтажSMD
67.19 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NX3008CBKV,115, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 0,4/-0,22А; 1,09Вт" 1.

0.0
NX3020NAKS.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,44нC КорпусSC88, SOT363, TSSOP6 МонтажSMD
50.59 
Доступность: 894 шт.
+

Минимальное количество для товара "NX3020NAKS,115, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт" 1.

0.0
NX3020NAKV.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,44нC КорпусSOT666 МонтажSMD
64.03 
Доступность: 865 шт.
+

Минимальное количество для товара "NX3020NAKV,115, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 120мА; Idm: 0,8А; 375мВт" 1.

0.0
NX6020CAKSX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяNX6020CAKSX Полярностьполевой
49.80 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NX6020CAKSX, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой" 1.

0.0
NX7002AKS.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,43нC КорпусSC88, SOT363, TSSOP6 МонтажSMD
43.48 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NX7002AKS,115, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 100мА; Idm: 0,68А; 330мВт" 1.

0.0
NX7002BKXBZ
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяNX7002BKXBZ Полярностьполевой
56.92 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NX7002BKXBZ, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой" 1.

Показать еще 80 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (20)
Хиты продаж