Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.165

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SI2338DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусSOT23 МонтажSMD
92.49 
Доступность: 2944 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2338DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 6А; Idm: 25А; 1,6Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2342DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
83.79 
Доступность: 1110 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2342DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 8В; 6А; Idm: 30А; 1,6Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2356DS-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусSOT23 МонтажSMD
60.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2356DS-T1-BE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 4,3А; Idm: 20А" 1.

0.0
SI2356DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусSOT23 МонтажSMD
60.87 
Доступность: 1529 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2356DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 4,3А; Idm: 20А" 1.

0.0
SI2366DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
83.79 
Доступность: 2980 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2366DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5,8А; Idm: 20А; 1,3Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2374DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,7нC КорпусSOT23 МонтажSMD
50.59 
Доступность: 2265 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2374DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,7А; 1,1Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2392ADS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,4нC КорпусSOT23 МонтажSMD
102.77 
Доступность: 3000 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2392ADS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23" 1.

0.0
SI3402-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,34нC КорпусSOT23 МонтажSMD
67.19 
Доступность: 2959 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3402-TP, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 30В; 4А; Idm: 15А; 1,3Вт" 1.

0.0
SI3404-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12,22нC КорпусSOT23 МонтажSMD
60.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3404-TP, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 30В; 5,8А; Idm: 30А; 1,2Вт" 1.

0.0
SI3420A-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусSOT23 МонтажSMD
60.08 
Доступность: 2257 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3420A-TP, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,8А; Idm: 30А; 1,25Вт; SOT23" 1.

0.0
SI3440DV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
144.66 
Доступность: 2950 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3440DV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 1,2А; Idm: 6А" 1.

0.0
SI3456DDV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
67.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3456DDV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 6,3А; Idm: 20А" 1.

0.0
SI3458BDV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
148.62 
Доступность: 1439 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3458BDV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 3,2А; Idm: 10А" 1.

0.0
SI3460DDV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
67.19 
Доступность: 3190 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3460DDV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 7,9А; Idm: 20А" 1.

0.0
SI3474DV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,4нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
80.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3474DV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 3,8А; Idm: 14А" 1.

0.0
SI4056DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29,5нC КорпусSO8 МонтажSMD
154.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4056DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 11,1А; Idm: 70А; 3,6Вт; SO8" 1.

0.0
SI4062DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18,8нC КорпусSO8 МонтажSMD
175.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4062DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 25,7А; 5Вт; SO8" 1.

0.0
SI4128DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,8нC КорпусSO8 МонтажSMD
130.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4128DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8,7А; 3,2Вт; SO8" 1.

0.0
SI4134DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,3нC КорпусSO8 МонтажSMD
160.47 
Доступность: 6879 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4134DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 11,2А; 3,2Вт; SO8" 1.

0.0
SI4162DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,8нC КорпусSO8 МонтажSMD
136.76 
Доступность: 839 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4162DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 15,4А; 3,2Вт; SO8" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж