Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.188

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SIS468DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
256.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS468DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 29,2А; Idm: 60А" 1.

0.0
SIS472ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
85.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS472ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 24А; Idm: 60А; 18Вт" 1.

0.0
SIS472BDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
114.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS472BDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30,6А; Idm: 70А" 1.

0.0
SIS472DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
104.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS472DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 20А; Idm: 50А; 18Вт" 1.

0.0
SIS476DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
204.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS476DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 80А; 43Вт" 1.

0.0
SIS488DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
182.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS488DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 40А; Idm: 100А; 33Вт" 1.

0.0
SIS606BDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
235.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS606BDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 28,2А; Idm: 80А" 1.

0.0
SIS698DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
137.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS698DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 5,5А; Idm: 10А" 1.

0.0
SIS780DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
117.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS780DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 18А" 1.

0.0
SIS822DNT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
71.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS822DNT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт" 1.

0.0
SIS862ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
114.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS862ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 41,6А; Idm: 100А" 1.

0.0
SIS862DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20,8нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
191.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS862DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 40А; Idm: 100А; 52Вт" 1.

0.0
SIS888DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
260.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS888DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 150В; 16А; Idm: 50А; 33Вт" 1.

0.0
SIS890ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
176.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS890ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 19,8А; Idm: 40А" 1.

0.0
SIS892ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,1нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
187.35 
Доступность: 2842 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIS892ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 28А; 52Вт; PowerPAK® 1212-8" 1.

0.0
SIS892DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
197.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS892DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 27А; Idm: 50А; 43Вт" 1.

0.0
SISA04DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
199.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISA04DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 80А; 43Вт" 1.

0.0
SISA10DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
181.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISA10DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 80А; 25Вт" 1.

0.0
SISA12ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
154.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISA12ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 25А; Idm: 80А; 18Вт" 1.

0.0
SISA14BDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
123.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISA14BDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 58А; Idm: 130А; 29Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж