Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 193

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом N SMD
Транзисторы с каналом N THT
Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
LSIC1MO120T0160-TU, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 22А; TO263-7
0.0
LSIC1MO120T0160-TU
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора57нC Код производителяLSIC1MO120T0160-TU КорпусTO263-7
2 313.78 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LSIC1MO120T0160-TU, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 22А; TO263-7" 1.

LSIC1MO170T0750, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4,5А; Idm: 11А; 65Вт
0.0
LSIC1MO170T0750
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора11нC Код производителяLSIC1MO170T0750 КорпусTO263-7
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LSIC1MO170T0750, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4,5А; Idm: 11А; 65Вт" 1.

MCB20P1200LB-TRR, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 25,5А; SMPD-B
0.0
MCB20P1200LB-TRR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC Код производителяMCB20P1200LB-TRR Конструкция диодадва последовательных диода
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCB20P1200LB-TRR, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 25,5А; SMPD-B" 1.

MCB20P1200LB-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 25,5А; SMPD-B
0.0
MCB20P1200LB-TUB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора62нC Код производителяMCB20P1200LB-TUB Конструкция диодадва последовательных диода
16 977.04 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCB20P1200LB-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 25,5А; SMPD-B" 1.

MCB30P1200LB-TRR, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 38А; SMPD-B
0.0
MCB30P1200LB-TRR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора115нC Код производителяMCB30P1200LB-TRR Конструкция диодадва последовательных диода
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCB30P1200LB-TRR, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 38А; SMPD-B" 1.

MCB30P1200LB-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 38А; SMPD-B
0.0
MCB30P1200LB-TUB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора115нC Код производителяMCB30P1200LB-TUB Конструкция диодадва последовательных диода
43 687.93 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCB30P1200LB-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 38А; SMPD-B" 1.

MCB40P1200LB-TRR, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 55А; SMPD-B
0.0
MCB40P1200LB-TRR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора161нC Код производителяMCB40P1200LB-TRR Конструкция диодадва последовательных диода
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCB40P1200LB-TRR, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 55А; SMPD-B" 1.

MCB40P1200LB-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 55А; SMPD-B
0.0
MCB40P1200LB-TUB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора161нC Код производителяMCB40P1200LB-TUB Конструкция диодадва последовательных диода
67 262.76 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCB40P1200LB-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 55А; SMPD-B" 1.

MCB60I1200TZ-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 70А; TO268AAHV
0.0
MCB60I1200TZ-TUB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора160C Код производителяMCB60I1200TZ-TUB КорпусTO268AAHV
32 657.31 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCB60I1200TZ-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 70А; TO268AAHV" 1.

MCB60P1200TLB-TRR, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 62А; SMPD-B
0.0
MCB60P1200TLB-TRR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора161нC Код производителяMCB60P1200TLB-TRR Конструкция диодадва последовательных диода
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCB60P1200TLB-TRR, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 62А; SMPD-B" 1.

MCB60P1200TLB-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 62А; SMPD-B
0.0
MCB60P1200TLB-TUB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора161нC Код производителяMCB60P1200TLB-TUB Конструкция диодадва последовательных диода
75 048.47 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCB60P1200TLB-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 62А; SMPD-B" 1.

MCH3474-TL-W, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4А; 1Вт; MCPH3; ESD
0.0
MCH3474-TL-W
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяMCH3474-TL-W КорпусMCPH3
60.37 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCH3474-TL-W, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4А; 1Вт; MCPH3; ESD" 3.

MCH3484-TL-W, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,5А; 1Вт; MCPH3; ESD
0.0
MCH3484-TL-W
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяMCH3484-TL-W КорпусMCPH3
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCH3484-TL-W, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,5А; 1Вт; MCPH3; ESD" 1.

MCH6661-TL-W, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,8А; 0,8Вт; MCPH6; ESD
0.0
MCH6661-TL-W
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяMCH6661-TL-W КорпусMCPH6
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCH6661-TL-W, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,8А; 0,8Вт; MCPH6; ESD" 1.

MCU04N60-TP, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; DPAK
0.0
MCU04N60-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC Код производителяMCU04N60-TP КорпусDPAK
168.37 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCU04N60-TP, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; DPAK" 1.

MGSF1N02LT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,75А; 0,4Вт; SOT23
0.0
MGSF1N02LT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC Код производителяMGSF1N02LT1G КорпусSOT23
77.38 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MGSF1N02LT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,75А; 0,4Вт; SOT23" 1.

MGSF2N02ELT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,8А; 1,25Вт; SOT23
0.0
MGSF2N02ELT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,5нC Код производителяMGSF2N02ELT1G КорпусSOT23
86.73 ₽
Доступность: 48 шт.
 

Минимальное количество для товара "MGSF2N02ELT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,8А; 1,25Вт; SOT23" 1.

MKE38RK600DFELB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 50А; SMPD; диод/транзистор
0.0
MKE38RK600DFELB
Вид каналаобогащенный Время готовности50нс Заряд затвора0,19мкC Код производителяMKE38RK600DFELB Конструкция диодадиод/транзистор
5 557.82 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MKE38RK600DFELB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 50А; SMPD; диод/транзистор" 1.

MMBF0201NLT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,24А; 0,225Вт; SOT23
0.0
MMBF0201NLT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяMMBF0201NLT1G КорпусSOT23 МонтажSMD
55.27 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMBF0201NLT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,24А; 0,225Вт; SOT23" 1.

MMBF170, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,5А; 0,3Вт; SOT23
0.0
MMBF170
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяMMBF170 КорпусSOT23 МонтажSMD
45.92 ₽
Доступность: 11975 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBF170, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,5А; 0,3Вт; SOT23" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж