Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 192

Производитель
Вид каналаобедненный Вид упаковкитуба Время готовности400нс Заряд затвора23,7нC КорпусTO252
642.20 
Доступность: 348 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTY1R6N50D2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 1,6А; 100Вт; TO252; 400нс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности800нс КорпусTO252 МонтажSMD
627.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY2N100P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 2А; 86Вт; TO252; 800нс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности137нс Заряд затвора4,3нC КорпусTO252
472.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY2N65X2, Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; полевой; 650В; 2А; 55Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности400нс Заряд затвора9,3нC КорпусTO252
78.75 
Доступность: 32 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTY3N50P, Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 500В; 3А; 70Вт; TO252; 400нс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности60нс КорпусTO252 МонтажSMD
451.07 
Доступность: 285 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTY44N10T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 44А; 130Вт; TO252; 60нс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности160нс Заряд затвора8,3нC КорпусTO252
490.83 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTY4N65X2, Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; полевой; 650В; 4А; 80Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности200нс Заряд затвора12нC КорпусTO252
616.97 
Доступность: 23 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTY8N65X2, Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; полевой; 650В; 8А; 150Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности200нс Заряд затвора12нC КорпусTO252
620.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY8N70X2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 8А; 150Вт; TO252; 200нс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC КорпусSOT23 МонтажSMD
7.65 
Доступность: 3720 шт.
 

Минимальное количество для товара "LGE2300, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; 1,25Вт; SOT23" 20.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
9.17 
Доступность: 1640 шт.
 

Минимальное количество для товара "LGE2302, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,1А; 0,35Вт; SOT23" 20.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,7нC КорпусSOT23 МонтажSMD
8.41 
Доступность: 6140 шт.
 

Минимальное количество для товара "LGE2304, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,3А; 0,35Вт; SOT23" 20.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение сток-исток20В
18.35 
Доступность: 3920 шт.
 

Минимальное количество для товара "LGE2312, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,9А; SOT23" 10.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусD2PAK МонтажSMD
1 621.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M160120E, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 11А; Idm: 38А; 127Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20,8нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
2 119.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M80120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 23А; 136Вт; D2PAK-7" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-5 МонтажSMD Напряжение сток-исток
122.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LND01K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 9В; 330мА; Idm: 0,6А; 0,36Вт; SOT23-5" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
181.96 
Доступность: 880 шт.
 

Минимальное количество для товара "LND150K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 13мА; Idm: 0,03А; 360мВт" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
149.08 
Доступность: 58 шт.
 

Минимальное количество для товара "LND150N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 1,6Вт" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
107.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LND250K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 13мА; Idm: 30А; 0,36Вт; SOT23-3" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора95нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
4 460.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LSIC1MO120T0080-TU, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 39А; TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора80нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
3 146.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LSIC1MO120T0120-TU, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 27А; TO263-7" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж