Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 230

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом N SMD
Транзисторы с каналом N THT
Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
QS5U13TR, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 30В; 2А; Idm: 8А; 900мВт
0.0
QS5U13TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,9нC Код производителяQS5U13TR
91.99 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS5U13TR, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 30В; 2А; Idm: 8А; 900мВт" 1.

QS5U16TR, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 30В; 500мА; Idm: 2А; ESD
0.0
QS5U16TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,8нC Код производителяQS5U16TR
176.32 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS5U16TR, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 30В; 500мА; Idm: 2А; ESD" 1.

QS5U17TR, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 30В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт
0.0
QS5U17TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,8нC Код производителяQS5U17TR
152.47 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS5U17TR, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 30В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт" 1.

QS5U34TR, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 20В; 1,5А; Idm: 3А; ESD
0.0
QS5U34TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,8нC Код производителяQS5U34TR
143.95 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS5U34TR, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 20В; 1,5А; Idm: 3А; ESD" 1.

R6002END3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,7А; Idm: 4А; 26Вт; TO252
0.0
R6002END3TL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC Код производителяR6002END3TL1 КорпусTO252
234.24 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "R6002END3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,7А; Idm: 4А; 26Вт; TO252" 1.

R6003KND3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 3А; Idm: 9А; 44Вт; TO252
0.0
R6003KND3TL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC Код производителяR6003KND3TL1 КорпусTO252
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "R6003KND3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 3А; Idm: 9А; 44Вт; TO252" 1.

R6004END3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 8А; 59Вт; TO252
0.0
R6004END3TL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC Код производителяR6004END3TL1 КорпусTO252
278.53 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "R6004END3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 8А; 59Вт; TO252" 1.

R6004JND3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 12А; 60Вт; TO252
0.0
R6004JND3TL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,5нC Код производителяR6004JND3TL1 КорпусTO252
109.88 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "R6004JND3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 12А; 60Вт; TO252" 2500.

R6006JND3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; Idm: 18А; 86Вт; TO252
0.0
R6006JND3TL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,5нC Код производителяR6006JND3TL1 КорпусTO252
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "R6006JND3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; Idm: 18А; 86Вт; TO252" 1.

R6006KND3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; Idm: 18А; 70Вт; TO252
0.0
R6006KND3TL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяR6006KND3TL1 КорпусTO252
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "R6006KND3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; Idm: 18А; 70Вт; TO252" 1.

R6007END3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; Idm: 14А; 78Вт; TO252
0.0
R6007END3TL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC Код производителяR6007END3TL1 КорпусTO252
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "R6007END3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; Idm: 14А; 78Вт; TO252" 1.

R6007ENJTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; Idm: 14А; 78Вт; D2PAK
0.0
R6007ENJTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC Код производителяR6007ENJTL КорпусD2PAK
363.71 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "R6007ENJTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; Idm: 14А; 78Вт; D2PAK" 1.

R6007JND3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; Idm: 21А; 96Вт; TO252
0.0
R6007JND3TL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17,5нC Код производителяR6007JND3TL1 КорпусTO252
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "R6007JND3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; Idm: 21А; 96Вт; TO252" 1.

R6007JNJGTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; Idm: 21А; 96Вт; D2PAK
0.0
R6007JNJGTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17,5нC Код производителяR6007JNJGTL КорпусD2PAK
483.82 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "R6007JNJGTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; Idm: 21А; 96Вт; D2PAK" 1.

R6009END3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; Idm: 18А; 94Вт; TO252
0.0
R6009END3TL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC Код производителяR6009END3TL1 КорпусTO252
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "R6009END3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; Idm: 18А; 94Вт; TO252" 1.

R6009JND3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; Idm: 27А; 125Вт; TO252
0.0
R6009JND3TL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC Код производителяR6009JND3TL1 КорпусTO252
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "R6009JND3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; Idm: 27А; 125Вт; TO252" 1.

R6009JNJGTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; Idm: 27А; 125Вт; D2PAK
0.0
R6009JNJGTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC Код производителяR6009JNJGTL КорпусD2PAK
449.74 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "R6009JNJGTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; Idm: 27А; 125Вт; D2PAK" 1.

R6009KNJTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; Idm: 27А; 94Вт; D2PAK
0.0
R6009KNJTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16,5нC Код производителяR6009KNJTL КорпусD2PAK
252.98 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "R6009KNJTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; Idm: 27А; 94Вт; D2PAK" 1.

R6011END3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11А; Idm: 22А; 124Вт; TO252
0.0
R6011END3TL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяR6011END3TL1 КорпусTO252
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "R6011END3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11А; Idm: 22А; 124Вт; TO252" 1.

R6011KND3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11А; Idm: 33А; 124Вт; TO252
0.0
R6011KND3TL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC Код производителяR6011KND3TL1 КорпусTO252
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "R6011KND3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11А; Idm: 33А; 124Вт; TO252" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж