Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 237

Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,4нC Код производителяRS1G120MNTB КорпусHSOP8
152.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS1G120MNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 34А; Idm: 48А; 25Вт; HSOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC Код производителяRS1G150MNTB КорпусHSOP8
120.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS1G150MNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 43А; Idm: 60А; 25Вт; HSOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19,5нC Код производителяRS1G180MNTB КорпусHSOP8
337.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS1G180MNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 57А; Idm: 72А; 30Вт; HSOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC Код производителяRS1G260MNTB КорпусHSOP8
134.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS1G260MNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 80А; Idm: 104А; 35Вт; HSOP8" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56,8нC Код производителяRS1G300GNTB КорпусHSOP8
140.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS1G300GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 80А; Idm: 120А; 35Вт; HSOP8" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC Код производителяRS1L120GNTB КорпусHSOP8
413.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS1L120GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 36А; Idm: 48А; 27Вт; HSOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора37нC Код производителяRS1L145GNTB КорпусHSOP8
110.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS1L145GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 47А; Idm: 58А; 31Вт; HSOP8" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора63нC Код производителяRS1L180GNTB КорпусHSOP8
151.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS1L180GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 68А; Idm: 72А; 39Вт; HSOP8" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC Код производителяRS1P600BETB1 КорпусHSOP8
142.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS1P600BETB1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 60А; Idm: 70А; 35Вт; HSOP8" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC Код производителяRSF014N03TL КорпусTUMT3
141.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSF014N03TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,4А; Idm: 5,6А; 800мВт; TUMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC Код производителяRSF015N06FRATL КорпусTUMT3
78.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSF015N06FRATL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 45В; 1,5А; Idm: 6А; 800мВт; TUMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC Код производителяRSF015N06TL КорпусTUMT3
83.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSF015N06TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,5А; Idm: 6А; 800мВт; TUMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC Код производителяRSH065N06GZETB КорпусSOP8
226.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSH065N06GZETB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 6,5А; Idm: 26А; 2Вт; SOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC Код производителяRSH065N06TB1 КорпусSOP8
252.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSH065N06TB1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 6,5А; Idm: 26А; 2Вт; SOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяRSH070N05GZETB КорпусSOP8
228.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSH070N05GZETB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 45В; 7А; Idm: 28А; 2Вт; SOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяRSH070N05TB1 КорпусSOP8
247.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSH070N05TB1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 45В; 7А; Idm: 28А; 2Вт; SOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC Код производителяRSJ400N06FRATL КорпусD2PAK
387.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSJ400N06FRATL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 40А; Idm: 80А; 50Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC Код производителяRSJ400N10TL КорпусD2PAK
850.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSJ400N10TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 40А; Idm: 80А; 50Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора143нC Код производителяRSJ550N10TL КорпусD2PAK
260.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSJ550N10TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 55А; Idm: 110А; 100Вт; D2PAK" 1000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора260нC Код производителяRSJ650N10TL КорпусD2PAK
413.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSJ650N10TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 65А; Idm: 130А; 100Вт; D2PAK" 1000.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж