Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 235

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом N SMD
Транзисторы с каналом N THT
Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
RQ3E080BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5А; Idm: 32А; 14Вт; HSMT8
0.0
RQ3E080BNTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,5нC Код производителяRQ3E080BNTB КорпусHSMT8
81.77 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E080BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5А; Idm: 32А; 14Вт; HSMT8" 1.

RQ3E080GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 18А; Idm: 32А; 14Вт; HSMT8
0.0
RQ3E080GNTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,8нC Код производителяRQ3E080GNTB КорпусHSMT8
117.55 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E080GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 18А; Idm: 32А; 14Вт; HSMT8" 1.

RQ3E100BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 21А; Idm: 40А; 15Вт; HSMT8
0.0
RQ3E100BNTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC Код производителяRQ3E100BNTB КорпусHSMT8
119.25 ₽
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "RQ3E100BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 21А; Idm: 40А; 15Вт; HSMT8" 1.

RQ3E110AJTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 24А; Idm: 44А; 15Вт; HSMT8
0.0
RQ3E110AJTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,5нC Код производителяRQ3E110AJTB КорпусHSMT8
166.95 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E110AJTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 24А; Idm: 44А; 15Вт; HSMT8" 1.

RQ3E120GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 27А; Idm: 48А; 15Вт; HSMT8
0.0
RQ3E120GNTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC Код производителяRQ3E120GNTB КорпусHSMT8
94.55 ₽
Доступность: 2716 шт.
 

Минимальное количество для товара "RQ3E120GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 27А; Idm: 48А; 15Вт; HSMT8" 1.

RQ3E130BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; Idm: 52А; 16Вт; HSMT8
0.0
RQ3E130BNTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC Код производителяRQ3E130BNTB КорпусHSMT8
142.25 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E130BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; Idm: 52А; 16Вт; HSMT8" 1.

RQ3E150BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; Idm: 60А; 17Вт; HSMT8
0.0
RQ3E150BNTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC Код производителяRQ3E150BNTB КорпусHSMT8
164.40 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E150BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; Idm: 60А; 17Вт; HSMT8" 1.

RQ3E150GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; Idm: 60А; 17Вт; HSMT8
0.0
RQ3E150GNTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,3нC Код производителяRQ3E150GNTB КорпусHSMT8
144.80 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E150GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; Idm: 60А; 17Вт; HSMT8" 1.

RQ3E160ADTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 16А; Idm: 64А; 2Вт; HSMT8
0.0
RQ3E160ADTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC Код производителяRQ3E160ADTB КорпусHSMT8
109.03 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E160ADTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 16А; Idm: 64А; 2Вт; HSMT8" 1.

RQ3E180AJTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 30А; Idm: 72А; 30Вт; HSMT8
0.0
RQ3E180AJTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора39нC Код производителяRQ3E180AJTB КорпусHSMT8
152.47 ₽
Доступность: 148 шт.
 

Минимальное количество для товара "RQ3E180AJTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 30А; Idm: 72А; 30Вт; HSMT8" 1.

RQ3E180BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; Idm: 72А; 20Вт; HSMT8
0.0
RQ3E180BNTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC Код производителяRQ3E180BNTB КорпусHSMT8
191.65 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E180BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; Idm: 72А; 20Вт; HSMT8" 1.

RQ3E180GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; Idm: 72А; 20Вт; HSMT8
0.0
RQ3E180GNTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22,4нC Код производителяRQ3E180GNTB КорпусHSMT8
127.77 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E180GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; Idm: 72А; 20Вт; HSMT8" 1.

RQ3G100GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 27А; Idm: 40А; 15Вт; HSMT8
0.0
RQ3G100GNTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,4нC Код производителяRQ3G100GNTB КорпусHSMT8
134.58 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3G100GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 27А; Idm: 40А; 15Вт; HSMT8" 1.

RQ3G150GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 39А; Idm: 60А; 20Вт; HSMT8
0.0
RQ3G150GNTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24,1нC Код производителяRQ3G150GNTB КорпусHSMT8
270.02 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3G150GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 39А; Idm: 60А; 20Вт; HSMT8" 1.

RQ3L050GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 13А; Idm: 20А; 14,8Вт; HSMT8
0.0
RQ3L050GNTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,3нC Код производителяRQ3L050GNTB КорпусHSMT8
195.06 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3L050GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 13А; Idm: 20А; 14,8Вт; HSMT8" 1.

RQ3L090GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 30А; Idm: 36А; 20Вт; HSMT8
0.0
RQ3L090GNTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24,5нC Код производителяRQ3L090GNTB КорпусHSMT8
75.81 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3L090GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 30А; Idm: 36А; 20Вт; HSMT8" 3000.

RQ3P300BHTB1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 39А; Idm: 40А; 32Вт; HSMT8
0.0
RQ3P300BHTB1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC Код производителяRQ3P300BHTB1 КорпусHSMT8
91.99 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3P300BHTB1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 39А; Idm: 40А; 32Вт; HSMT8" 3000.

RQ5E025TNTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,5А; Idm: 10А; 1Вт; TSMT3
0.0
RQ5E025TNTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,3нC Код производителяRQ5E025TNTL КорпусTSMT3
139.69 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ5E025TNTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,5А; Idm: 10А; 1Вт; TSMT3" 1.

RQ5E030AJTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3А; Idm: 6А; 1Вт; TSMT3
0.0
RQ5E030AJTCL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,1нC Код производителяRQ5E030AJTCL КорпусTSMT3
126.92 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ5E030AJTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3А; Idm: 6А; 1Вт; TSMT3" 1.

RQ5E035BNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,5А; Idm: 12А; 1Вт; TSMT3
0.0
RQ5E035BNTCL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC Код производителяRQ5E035BNTCL КорпусTSMT3
69.85 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ5E035BNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,5А; Idm: 12А; 1Вт; TSMT3" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж