Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.24

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
BSS306NH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
35.57 
Доступность: 9022 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSS306NH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23" 1.

0.0
BSS316NH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
22.13 
Доступность: 18235 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSS316NH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,4А; 0,5Вт; SOT23" 1.

0.0
BSS606NH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-SOT89 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
90.91 
Доступность: 650 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSS606NH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 3,2А; 1Вт; PG-SOT89" 1.

0.0
BSS670S2LH6327XTSA
Вид каналаобогащенный КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток55В
33.99 
Доступность: 823 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSS670S2LH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 0,54А; 0,36Вт; SOT23" 1.

0.0
BSS7728NH6327XTSA2
Вид каналаобогащенный КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
20.55 
Доступность: 2949 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSS7728NH6327XTSA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23" 10.

0.0
BSS806NEH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В Напряжение сток-исток20В
55.34 
Доступность: 5941 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSS806NEH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23" 1.

0.0
BSS806NH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В Напряжение сток-исток20В
39.53 
Доступность: 6303 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSS806NH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23" 1.

0.0
BSS816NWH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусSOT323 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В Напряжение сток-исток20В
34.78 
Доступность: 3109 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSS816NWH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,4А; 0,5Вт; SOT323" 1.

0.0
BSS87.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSC62, SOT89 МонтажSMD
47.43 
Доступность: 75 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSS87,115, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 0,2А; 580мВт; SC62,SOT89" 1.

0.0
BSS87H6327FTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусSOT89-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток240В
66.40 
Доступность: 553 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSS87H6327FTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 240В; 0,26А; 1Вт; SOT89-4" 1.

0.0
BST82.215
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
18.97 
Доступность: 37961 шт.
+

Минимальное количество для товара "BST82,215, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,19А; 830мВт; SOT23,TO236AB" 1.

0.0
BSZ018NE2LSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток25В
229.25 
Доступность: 4970 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSZ018NE2LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ018NE2LSIATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток25В
283.00 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ018NE2LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ019N03LSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
202.37 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ019N03LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ025N04LSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
212.65 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ025N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ028N04LSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
167.59 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ028N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 20А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ034N04LSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
71.94 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ034N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 52Вт; PG-TSDSON-8" 5000.

0.0
BSZ035N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
244.27 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ035N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ040N04LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
184.19 
Доступность: 1938 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSZ040N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ042N06NSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
221.34 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ042N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 20А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ0506NSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
107.51 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ0506NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 27Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ050N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
98.02 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ050N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ050N03MSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
126.48 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ050N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 48Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ067N06LS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
202.37 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSZ067N06LS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 20А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж