Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 31

Производитель
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
133.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ100N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 36А; 30Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
63.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ100N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; 30Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора13нC КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
132.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ105N04NSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 29А; 35Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
247.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ110N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 40А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
236.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ12DN20NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 11,3А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
143.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ130N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 28А; 25Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
83.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ130N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 31А; 25Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
208.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ160N10NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 40А; 63Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
191.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ22DN20NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 7А; 34Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток250В
229.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ42DN25NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 5А; 33,8Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
148.54 
Доступность: 5867 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSZ440N10NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 18А; 29Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
255.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ520N15NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 21А; 57Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
183.05 
Доступность: 3006 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSZ900N15NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 13А; 38Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
315.08 
Доступность: 855 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSZ900N20NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 15,2А; 62,5Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора43нC КорпусD2PAK, SOT404 МонтажSMD
252.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BUK6607-55C,118, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 74А; Idm: 420А; 158Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,6нC КорпусDFN6, SOT1220 МонтажSMD
87.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BUK6D120-40EX, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 3,6А; Idm: 23А; 7,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC КорпусDFN6, SOT1220 МонтажSMD
76.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BUK6D125-60EX, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 5,3А; Idm: 30А; 15Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,8нC КорпусDFN6, SOT1220 МонтажSMD
63.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BUK6D210-60EX, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 4,1А; Idm: 23А; 15Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусDFN6, SOT1220 МонтажSMD
84.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BUK6D22-30EX, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 15,7А; Idm: 89А; 19Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусDFN6, SOT1220 МонтажSMD
85.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BUK6D23-40EX, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 12А; Idm: 76А; 15Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж