Москва
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

Транзисторы с каналом N SMD

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
BSZ068N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 40А; 46Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ068N06NSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
‍261‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ068N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 40А; 46Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ084N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 40А; 63Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ084N08NS5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
‍160‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ084N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 40А; 63Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ088N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 35Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ088N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
‍136‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ088N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 35Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ088N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 35Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ088N03MSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
‍136‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ088N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 35Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ0901NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 50Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ0901NSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
‍241‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ0901NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ0901NSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ0901NSIATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
‍224‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ0901NSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ0909NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 34В; 32А; 25Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ0909NSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток34В
‍121‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ0909NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 34В; 32А; 25Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ097N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 35Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ097N04LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
‍108‍ ₽
Доступность: 4919 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ097N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 35Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ0994NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 13А; 2,1Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ0994NS
Вид каналаобогащенный Заряд затвора5,2нC КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍159‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ0994NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 13А; 2,1Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ100N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 36А; 30Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ100N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
‍136‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ100N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 36А; 30Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ100N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; 30Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ100N03MSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
‍65‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ100N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; 30Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ105N04NSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 29А; 35Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ105N04NSG
Вид каналаобогащенный Заряд затвора13нC КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍134‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ105N04NSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 29А; 35Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ110N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 40А; 50Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ110N08NS5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
‍247‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ110N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 40А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ12DN20NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 11,3А; 50Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ12DN20NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
‍241‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ12DN20NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 11,3А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ130N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 28А; 25Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ130N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
‍128‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ130N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 28А; 25Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ130N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 31А; 25Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ130N03MSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
‍85‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ130N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 31А; 25Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ160N10NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 40А; 63Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ160N10NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
‍184‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ160N10NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 40А; 63Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ22DN20NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 7А; 34Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ22DN20NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
‍262‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ22DN20NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 7А; 34Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ42DN25NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 5А; 33,8Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ42DN25NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток250В
‍244‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ42DN25NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 5А; 33,8Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ440N10NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 18А; 29Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ440N10NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
‍264‍ ₽
Доступность: 5899 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ440N10NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 18А; 29Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ520N15NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 21А; 57Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ520N15NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
‍228‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ520N15NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 21А; 57Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ900N15NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 13А; 38Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ900N15NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
‍172‍ ₽
Доступность: 3006 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ900N15NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 13А; 38Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ900N20NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 15,2А; 62,5Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ900N20NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
‍270‍ ₽
Доступность: 968 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ900N20NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 15,2А; 62,5Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BUK6607-55C,118, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 74А; Idm: 420А; 158Вт
0.0
BUK6607-55C.118
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора43нC КорпусD2PAK, SOT404 МонтажSMD
‍256‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BUK6607-55C,118, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 74А; Idm: 420А; 158Вт" 1.

Показать еще 24 товара
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)