Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 240

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
48.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUQ050N02FRATR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 5А; Idm: 10А; 1,25Вт; TSMT6" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
115.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUR020N02TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2А; Idm: 6А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
143.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUR040N02FRATL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; Idm: 8А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
139.14 
Доступность: 2770 шт.
 

Минимальное количество для товара "RUR040N02TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; Idm: 8А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусX2-DFN0806-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
26.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV1C002UNT2CL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 150мА; Idm: 0,6А; 100мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN1006-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±10В
47.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV2C002UNT2L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 180мА; Idm: 0,6А; 100мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN1006-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
61.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV2C010UNT2L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1А; Idm: 2А; 400мВт; DFN1006-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусX2-DFN0604-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±10В
66.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV3C002UNT2CL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 150мА; Idm: 600А; 100мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN1010-3W МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
78.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV8L002SNHZGG2CR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 1Вт; DFN1010-3W" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,3нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
117.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RVQ040N05TR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 45В; 4А; Idm: 16А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,8нC КорпусSOP8 МонтажSMD
221.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RXH090N03TB1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 9А; Idm: 36А; 2Вт; SOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12,7нC КорпусSOP8 МонтажSMD
189.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RXH125N03TB1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12,5А; Idm: 36А; 2Вт; SOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSST3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
57.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RYC002N05T316, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 350мВт; SST3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусVMT3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
59.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RYM002N05T2CL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт; VMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора10нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
490.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "S1M1000170J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4,1А; Idm: 15А; 100Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
490.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "S1M1000170JTR-SMC, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4,1А; Idm: 15А; 100Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора177нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "S2M0025120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 70А; Idm: 250А; 311Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора54нC КорпусTOLL МонтажSMD
522.94 
Доступность: 34 шт.
 

Минимальное количество для товара "S2M0080120T, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 29А; Idm: 82А; 231Вт; TOLL" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора29,6нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
863.91 
Доступность: 48 шт.
 

Минимальное количество для товара "S2M0120120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 15А; Idm: 66А; 153Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29,6нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
1 007.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "S2M0120120JTR-SMC, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 15А; Idm: 66А; 153Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж