Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 243

Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора3нC Код производителяSGT120R65AL
987.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SGT120R65AL, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 9А; Idm: 36А; 192Вт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC Код производителяSI1012CR-T1-GE3
52.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1012CR-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,63А; Idm: 2А; 0,15Вт; SC75A" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,75нC Код производителяSI1012R-T1-GE3
52.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1012R-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,35А; 0,08Вт; SC75A; ESD" 3.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,75нC Код производителяSI1012X-T1-GE3
60.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1012X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,35А; 0,08Вт; SC89,SOT563; ESD" 3.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,6нC Код производителяSI1022R-T1-GE3
132.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1022R-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,24А; 0,13Вт; SC75A; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,75нC Код производителяSI1032R-T1-GE3
100.51 
Доступность: 2343 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1032R-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,14А; Idm: -0,5А; 0,13Вт; SC75A" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,75нC Код производителяSI1032X-T1-GE3 КорпусSC89, SOT563
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1032X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 210мА; Idm: 0,6А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,75нC Код производителяSI1034X-T1-GE3 КорпусSC89, SOT563
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1034X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 190мА; Idm: 0,65А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,6нC Код производителяSI1050X-T1-GE3 КорпусSC89, SOT563
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1050X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 8В; 1,34А; Idm: 6А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,7нC Код производителяSI1062X-T1-GE3 КорпусSC89, SOT563
53.66 
Доступность: 36 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1062X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 530мА; Idm: 2А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,3нC Код производителяSI1070X-T1-GE3 КорпусSC89, SOT563
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1070X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 1,2А; Idm: 6А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC Код производителяSI1078X-T1-GE3 КорпусSC89, SOT563
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1078X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 1,02А; Idm: 6А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC Код производителяSI1302DL-T1-E3 КорпусSC70
125.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1302DL-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,6А; Idm: 1,5А; 0,18Вт; SC70" 5.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,86нC Код производителяSI1302DL-T1-GE3 КорпусSC70
91.99 
Доступность: 2633 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1302DL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,48А; 0,18Вт; SC70" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,1нC Код производителяSI1308EDL-T1-GE3
98.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1308EDL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; SC70; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,6нC Код производителяSI1330EDL-T1-BE3 КорпусSC70, SOT323
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1330EDL-T1-BE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,4нC Код производителяSI1330EDL-T1-E3
151.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1330EDL-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,19А; 0,18Вт; SC70; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,6нC Код производителяSI1330EDL-T1-GE3 КорпусSC70, SOT323
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1330EDL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяSI1416EDH-T1-GE3
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1416EDH-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,9А; Idm: 15А; 1,8Вт; SC70; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,5нC Код производителяSI1424EDH-T1-GE3
97.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1424EDH-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; 1,8Вт; SC70; ESD" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж