Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 247

Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC Код производителяSI3442BDV-T1-GE3 КорпусTSOP6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3442BDV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,2А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC Код производителяSI3456DDV-T1-E3 КорпусTSOP6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3456DDV-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 6,3А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC Код производителяSI3456DDV-T1-GE3 КорпусTSOP6
103.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3456DDV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 6,3А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC Код производителяSI3458BDV-T1-BE3 КорпусTSOP6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3458BDV-T1-BE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 4,1А; Idm: 10А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC Код производителяSI3458BDV-T1-E3 КорпусTSOP6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3458BDV-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 4,1А; Idm: 10А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC Код производителяSI3458BDV-T1-GE3 КорпусTSOP6
176.32 
Доступность: 419 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3458BDV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 3,2А; Idm: 10А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC Код производителяSI3460DDV-T1-GE3 КорпусTSOP6
85.18 
Доступность: 5100 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3460DDV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 7,9А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC Код производителяSI3464DV-T1-GE3 КорпусTSOP6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3464DV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 8А; Idm: 20А; 3,6Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,4нC Код производителяSI3474DV-T1-GE3 КорпусTSOP6
136.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3474DV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 3,8А; Idm: 14А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,5нC Код производителяSI3476DV-T1-GE3 КорпусTSOP6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3476DV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 4,6А; Idm: 18А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC Код производителяSI3900DV-T1-E3 КорпусTSOP6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3900DV-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 2,4А; Idm: 8А; TSOP6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC Код производителяSI3900DV-T1-GE3 КорпусTSOP6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3900DV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 2,4А; Idm: 8А; TSOP6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора87нC Код производителяSI4038DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4038DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 42,5А; Idm: 150А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29нC Код производителяSI4056ADY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4056ADY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 8,3А; Idm: 40А; 5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29,5нC Код производителяSI4056DY-T1-GE3 КорпусSO8
229.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4056DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 11,1А; Idm: 70А; 3,6Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC Код производителяSI4058DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4058DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 10,3А; Idm: 50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18,8нC Код производителяSI4062DY-T1-GE3 КорпусSO8
310.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4062DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 25,7А; 5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC Код производителяSI4090BDY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4090BDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 18,7А; Idm: 80А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора69нC Код производителяSI4090DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4090DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 19,7А; Idm: 70А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC Код производителяSI4100DY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4100DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 6,8А; Idm: 20А; 6Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж