Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 270

Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC Код производителяSIHLR024TRL-GE3 КорпусDPAK, TO252
155.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHLR024TRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 9,2А; Idm: 56А; 42Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,1нC Код производителяSIHLR110TR-GE3 КорпусDPAK, TO252
155.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHLR110TR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора66нC Код производителяSIHLZ44S-GE3 КорпусD2PAK, TO263
374.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHLZ44S-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 36А; Idm: 200А; 150Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяSIJ128LDP-T1-GE3 МонтажSMD
183.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ128LDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 25,5А; Idm: 70А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC Код производителяSIJ150DP-T1-GE3 МонтажSMD
140.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ150DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 45В; 110А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора37нC Код производителяSIJ186DP-T1-GE3 МонтажSMD
151.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ186DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 79,4А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC Код производителяSIJ188DP-T1-GE3 МонтажSMD
217.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ188DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 92,4А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора162нC Код производителяSIJ438ADP-T1-GE3 МонтажSMD
168.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ438ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 169А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора182нC Код производителяSIJ438DP-T1-GE3 МонтажSMD
268.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ438DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 80А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяSIJ462ADP-T1-GE3 МонтажSMD
166.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ462ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 39,3А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSIJ462DP-T1-GE3 МонтажSMD
172.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ462DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 46,5А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC Код производителяSIJ470DP-T1-GE3 МонтажSMD
130.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ470DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 58,8А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора54нC Код производителяSIJ478DP-T1-GE3 МонтажSMD
151.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ478DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 60А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора71нC Код производителяSIJ482DP-T1-GE3 МонтажSMD
240.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ482DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 60А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31нC Код производителяSIJ494DP-T1-GE3 МонтажSMD
213.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ494DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 36,8А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,1мкC Код производителяSIJA52ADP-T1-GE3 МонтажSMD
140.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJA52ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 131А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора150нC Код производителяSIJA52DP-T1-GE3 МонтажSMD
204.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJA52DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А; 48Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора104нC Код производителяSIJA54DP-T1-GE3 МонтажSMD
157.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJA54DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора61нC Код производителяSIJA58ADP-T1-GE3 МонтажSMD
99.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJA58ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 109А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC Код производителяSIJA58DP-T1-GE3 МонтажSMD
193.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJA58DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 109А; Idm: 150А" 3000.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж