Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 266

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом N SMD
Транзисторы с каналом N THT
Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
SIHF830STRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 2,9А; Idm: 18А; 74Вт
0.0
SIHF830STRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC Код производителяSIHF830STRL-GE3 КорпусD2PAK, TO263
172.06 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHF830STRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 2,9А; Idm: 18А; 74Вт" 1.

SIHF840AS-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
0.0
SIHF840AS-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC Код производителяSIHF840AS-GE3 КорпусD2PAK, TO263
235.95 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHF840AS-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт" 1.

SIHF840S-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
0.0
SIHF840S-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора63нC Код производителяSIHF840S-GE3 КорпусD2PAK, TO263
235.95 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHF840S-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт" 1.

SIHFBC30AS-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,3А; Idm: 14А; 74Вт
0.0
SIHFBC30AS-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC Код производителяSIHFBC30AS-GE3 КорпусD2PAK, TO263
247.02 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFBC30AS-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,3А; Idm: 14А; 74Вт" 1.

SIHFBF20S-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
0.0
SIHFBF20S-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC Код производителяSIHFBF20S-GE3 КорпусD2PAK, TO263
235.95 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFBF20S-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт" 1.

SIHFBF20STRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
0.0
SIHFBF20STRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC Код производителяSIHFBF20STRL-GE3 КорпусD2PAK, TO263
235.95 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFBF20STRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт" 1.

SIHFBF30S-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 2,3А; Idm: 14А; 125Вт
0.0
SIHFBF30S-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора78нC Код производителяSIHFBF30S-GE3 КорпусD2PAK, TO263
385.86 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFBF30S-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 2,3А; Idm: 14А; 125Вт" 1.

SIHFR010-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 8,2А; Idm: 33А; 25Вт; DPAK,TO252
0.0
SIHFR010-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC Код производителяSIHFR010-GE3 КорпусDPAK, TO252
155.03 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR010-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 8,2А; Idm: 33А; 25Вт; DPAK,TO252" 1.

SIHFR014TR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 4,9А; Idm: 31А; 25Вт; DPAK,TO252
0.0
SIHFR014TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC Код производителяSIHFR014TR-GE3 КорпусDPAK, TO252
155.03 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR014TR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 4,9А; Idm: 31А; 25Вт; DPAK,TO252" 1.

SIHFR024-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 9А; Idm: 56А; 42Вт; DPAK,TO252
0.0
SIHFR024-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC Код производителяSIHFR024-GE3 КорпусDPAK, TO252
227.43 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR024-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 9А; Idm: 56А; 42Вт; DPAK,TO252" 1.

SIHFR110-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт
0.0
SIHFR110-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,3нC Код производителяSIHFR110-GE3 КорпусDPAK, TO252
154.17 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR110-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт" 1.

SIHFR110TR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт
0.0
SIHFR110TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,3нC Код производителяSIHFR110TR-GE3 КорпусDPAK, TO252
154.17 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR110TR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт" 1.

SIHFR110TRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт
0.0
SIHFR110TRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,3нC Код производителяSIHFR110TRL-GE3 КорпусDPAK, TO252
154.17 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR110TRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт" 1.

SIHFR120-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 4,9А; Idm: 31А; 42Вт
0.0
SIHFR120-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC Код производителяSIHFR120-GE3 КорпусDPAK, TO252
184.84 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR120-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 4,9А; Idm: 31А; 42Вт" 1.

SIHFR120TR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 4,9А; Idm: 31А; 42Вт
0.0
SIHFR120TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC Код производителяSIHFR120TR-GE3 КорпусDPAK, TO252
155.03 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR120TR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 4,9А; Idm: 31А; 42Вт" 1.

SIHFR120TRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 4,9А; Idm: 31А; 42Вт
0.0
SIHFR120TRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC Код производителяSIHFR120TRL-GE3 КорпусDPAK, TO252
155.03 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR120TRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 4,9А; Idm: 31А; 42Вт" 1.

SIHFR1N60A-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,98А; 36Вт; DPAK,TO252
0.0
SIHFR1N60A-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора14нC Код производителяSIHFR1N60A-GE3 КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
109.03 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR1N60A-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,98А; 36Вт; DPAK,TO252" 1.

SIHFR1N60ATRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 890мА; Idm: 5,6А; 36Вт
0.0
SIHFR1N60ATRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC Код производителяSIHFR1N60ATRL-GE3 КорпусDPAK, TO252
155.88 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR1N60ATRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 890мА; Idm: 5,6А; 36Вт" 1.

SIHFR210TRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 1,7А; Idm: 10А; 25Вт
0.0
SIHFR210TRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,2нC Код производителяSIHFR210TRL-GE3 КорпусDPAK, TO252
155.03 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR210TRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 1,7А; Idm: 10А; 25Вт" 1.

SIHFR220-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 3А; Idm: 19А; 42Вт; DPAK,TO252
0.0
SIHFR220-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC Код производителяSIHFR220-GE3 КорпусDPAK, TO252
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR220-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 3А; Idm: 19А; 42Вт; DPAK,TO252" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж