Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 264

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом N SMD
Транзисторы с каналом N THT
Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
SIHB30N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 18А; Idm: 76А; 250Вт
0.0
SIHB30N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC Код производителяSIHB30N60E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB30N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 18А; Idm: 76А; 250Вт" 1.

SIHB33N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; 278Вт; D2PAK,TO263
0.0
SIHB33N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора150нC Код производителяSIHB33N60E-GE3 КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
832.20 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB33N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; 278Вт; D2PAK,TO263" 1.

SIHB33N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; Idm: 100А; 278Вт
0.0
SIHB33N60EF-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора155нC Код производителяSIHB33N60EF-GE3 КорпусD2PAK, TO263
1 373.94 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB33N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; Idm: 100А; 278Вт" 1.

SIHB35N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20А; Idm: 80А; 250Вт
0.0
SIHB35N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора132нC Код производителяSIHB35N60E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
1 257.24 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB35N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20А; Idm: 80А; 250Вт" 1.

SIHB35N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20А; Idm: 80А; 250Вт
0.0
SIHB35N60EF-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора134нC Код производителяSIHB35N60EF-GE3 КорпусD2PAK, TO263
846.68 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB35N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20А; Idm: 80А; 250Вт" 1.

SIHB4N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; Idm: 11А; 69Вт
0.0
SIHB4N80E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSIHB4N80E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
359.45 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB4N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; Idm: 11А; 69Вт" 1.

SIHB6N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 5А; Idm: 18А; 78Вт; D2PAK,TO263
0.0
SIHB6N65E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC Код производителяSIHB6N65E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
474.45 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB6N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 5А; Idm: 18А; 78Вт; D2PAK,TO263" 1.

SIHB6N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5,4А; Idm: 15А; 78Вт
0.0
SIHB6N80E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC Код производителяSIHB6N80E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
854.34 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB6N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5,4А; Idm: 15А; 78Вт" 1.

SIHB8N50D-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 5,5А; Idm: 18А; 156Вт
0.0
SIHB8N50D-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяSIHB8N50D-GE3 КорпусD2PAK, TO263
265.76 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB8N50D-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 5,5А; Idm: 18А; 156Вт" 1.

SIHD12N50E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 6,6А; Idm: 21А; 114Вт
0.0
SIHD12N50E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC Код производителяSIHD12N50E-GE3 КорпусDPAK, TO252
365.42 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD12N50E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 6,6А; Idm: 21А; 114Вт" 1.

SIHD14N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; Idm: 32А; 147Вт; DPAK,TO252
0.0
SIHD14N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора64нC Код производителяSIHD14N60E-GE3 КорпусDPAK, TO252
404.60 ₽
Доступность: 355 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIHD14N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; Idm: 32А; 147Вт; DPAK,TO252" 1.

SIHD180N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 40А; 156Вт
0.0
SIHD180N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSIHD180N60E-GE3 КорпусDPAK, TO252
560.48 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD180N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 40А; 156Вт" 1.

SIHD186N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 40А; 156Вт
0.0
SIHD186N60EF-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSIHD186N60EF-GE3 КорпусDPAK, TO252
612.44 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD186N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 40А; 156Вт" 1.

SIHD1K4N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,6А; Idm: 5А; 63Вт; DPAK,TO252
0.0
SIHD1K4N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,5нC Код производителяSIHD1K4N60E-GE3 КорпусDPAK, TO252
302.39 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD1K4N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,6А; Idm: 5А; 63Вт; DPAK,TO252" 1.

SIHD240N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; Idm: 30А; 78Вт; DPAK,TO252
0.0
SIHD240N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC Код производителяSIHD240N60E-GE3 КорпусDPAK, TO252
513.63 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD240N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; Idm: 30А; 78Вт; DPAK,TO252" 1.

SIHD2N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,8А; Idm: 3,6А; 62,5Вт; ESD
0.0
SIHD2N80AE-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора10,5нC Код производителяSIHD2N80AE-GE3 КорпусDPAK, TO252
243.61 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD2N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,8А; Idm: 3,6А; 62,5Вт; ESD" 1.

SIHD2N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,8А; Idm: 5А; 62,5Вт
0.0
SIHD2N80E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19,6нC Код производителяSIHD2N80E-GE3 КорпусDPAK, TO252
352.64 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD2N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,8А; Idm: 5А; 62,5Вт" 1.

SIHD3N50D-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 1,9А; Idm: 5,5А; 69Вт
0.0
SIHD3N50D-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяSIHD3N50D-GE3 КорпусDPAK, TO252
189.10 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD3N50D-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 1,9А; Idm: 5,5А; 69Вт" 1.

SIHD4N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; Idm: 11А; 69Вт
0.0
SIHD4N80E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSIHD4N80E-GE3 КорпусDPAK, TO252
415.67 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD4N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; Idm: 11А; 69Вт" 1.

SIHD5N50D-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 3,4А; Idm: 10А; 104Вт
0.0
SIHD5N50D-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC Код производителяSIHD5N50D-GE3 КорпусDPAK, TO252
158.43 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD5N50D-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 3,4А; Idm: 10А; 104Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж