Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 285

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом N SMD
Транзисторы с каналом N THT
Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
SIUD402ED-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 1А; Idm: 1,4А
0.0
SIUD402ED-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,2нC Код производителяSIUD402ED-T1-GE3 МонтажSMD
68.14 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIUD402ED-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 1А; Idm: 1,4А" 1.

SIUD406ED-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 500мА; Idm: 0,8А
0.0
SIUD406ED-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,6нC Код производителяSIUD406ED-T1-GE3 МонтажSMD
26.41 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIUD406ED-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 500мА; Idm: 0,8А" 3000.

SIUD412ED-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12В; 500мА; Idm: 1,5А
0.0
SIUD412ED-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,71нC Код производителяSIUD412ED-T1-GE3 МонтажSMD
46.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIUD412ED-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12В; 500мА; Idm: 1,5А" 1.

SMMBF4393LT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
SMMBF4393LT1G
Вид каналаобогащенный Код производителяSMMBF4393LT1G МонтажSMD Полярностьполевой ПроизводительONSEMI
148.21 ₽
Доступность: 2906 шт.
 

Минимальное количество для товара "SMMBF4393LT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

SMMBFJ309LT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
SMMBFJ309LT1G
Вид каналаобогащенный Код производителяSMMBFJ309LT1G МонтажSMD Полярностьполевой ПроизводительONSEMI
83.48 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SMMBFJ309LT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

SMMBFJ310LT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
SMMBFJ310LT1G
Вид каналаобогащенный Код производителяSMMBFJ310LT1G МонтажSMD Полярностьполевой ПроизводительONSEMI
76.66 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SMMBFJ310LT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

SMMBFJ310LT3G, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
SMMBFJ310LT3G
Вид каналаобогащенный Код производителяSMMBFJ310LT3G МонтажSMD Полярностьполевой ПроизводительONSEMI
22.15 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SMMBFJ310LT3G, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 10000.

SN7002NH6327XTSA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
0.0
SN7002NH6327XTSA2
Вид каналаобогащенный Код производителяSN7002NH6327XTSA2 КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
46.00 ₽
Доступность: 15115 шт.
 

Минимальное количество для товара "SN7002NH6327XTSA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23" 1.

SN7002NH6433XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,16А; 0,36Вт; SOT23
0.0
SN7002NH6433XTMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяSN7002NH6433XTMA1 КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
40.89 ₽
Доступность: 4924 шт.
 

Минимальное количество для товара "SN7002NH6433XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,16А; 0,36Вт; SOT23" 1.

SN7002WH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,23А; 0,5Вт; SOT323
0.0
SN7002WH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный Код производителяSN7002WH6327XTSA1 КорпусSOT323 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
47.70 ₽
Доступность: 77 шт.
 

Минимальное количество для товара "SN7002WH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,23А; 0,5Вт; SOT323" 1.

SP8K80TB1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 500мА; Idm: 2А; 2Вт; SOP8
0.0
SP8K80TB1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,8нC Код производителяSP8K80TB1 КорпусSOP8
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SP8K80TB1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 500мА; Idm: 2А; 2Вт; SOP8" 1.

SPB11N60C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7А; Idm: 33А; 125Вт; PG-TO263
0.0
SPB11N60C3ATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяSPB11N60C3ATMA1 КорпусPG-TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPB11N60C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7А; Idm: 33А; 125Вт; PG-TO263" 1.

SPB17N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 17А; 227Вт; PG-TO263-3
0.0
SPB17N80C3
Вид каналаобогащенный Код производителяSPB17N80C3 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 071.55 ₽
Доступность: 180 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPB17N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 17А; 227Вт; PG-TO263-3" 1.

SPB20N60C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
0.0
SPB20N60C3
Вид каналаобогащенный Код производителяSPB20N60C3 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
718.06 ₽
Доступность: 718 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPB20N60C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3" 1.

SPB20N60S5, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13А; 208Вт; PG-TO263-3
0.0
SPB20N60S5
Вид каналаобогащенный Код производителяSPB20N60S5 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPB20N60S5, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13А; 208Вт; PG-TO263-3" 1.

SPD03N50C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 2А; Idm: 9,6А; 38Вт; PG-TO252
0.0
SPD03N50C3ATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяSPD03N50C3ATMA1 КорпусPG-TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPD03N50C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 2А; Idm: 9,6А; 38Вт; PG-TO252" 1.

SPD03N60C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 2А; Idm: 9,6А; 38Вт; PG-TO252
0.0
SPD03N60C3ATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяSPD03N60C3ATMA1 КорпусPG-TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPD03N60C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 2А; Idm: 9,6А; 38Вт; PG-TO252" 1.

SPD04N60C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 2,8А; Idm: 13,5А; 50Вт
0.0
SPD04N60C3ATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяSPD04N60C3ATMA1 КорпусPG-TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPD04N60C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 2,8А; Idm: 13,5А; 50Вт" 1.

SPD04N80C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,5А; Idm: 12А; 63Вт
0.0
SPD04N80C3ATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяSPD04N80C3ATMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPD04N80C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,5А; Idm: 12А; 63Вт" 1.

SPD06N80C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,8А; Idm: 18А; 83Вт
0.0
SPD06N80C3ATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяSPD06N80C3ATMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPD06N80C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,8А; Idm: 18А; 83Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж