Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 281

Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC Код производителяSIS476DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
306.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS476DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 80А; 43Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSIS488DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
264.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS488DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 40А; Idm: 100А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяSIS606BDN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
321.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS606BDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 28,2А; Idm: 80А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC Код производителяSIS698DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
209.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS698DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 5,5А; Idm: 10А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24,5нC Код производителяSIS780DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
170.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS780DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 18А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяSIS822DNT-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
98.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS822DNT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяSIS862ADN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
232.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS862ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 41,6А; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20,8нC Код производителяSIS862DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
262.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS862DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 40А; Idm: 100А; 52Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,5нC Код производителяSIS888DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
387.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS888DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 150В; 16А; Idm: 50А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29нC Код производителяSIS890ADN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
239.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS890ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 19,8А; Idm: 40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29нC Код производителяSIS890DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS890DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 30А; Idm: 60А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,1нC Код производителяSIS892ADN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
280.24 
Доступность: 2840 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIS892ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 28А; 52Вт; PowerPAK® 1212-8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,5нC Код производителяSIS892DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
327.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS892DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 27А; Idm: 50А; 43Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC Код производителяSISA04DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
319.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISA04DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 80А; 43Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC Код производителяSISA10DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
246.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISA10DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 80А; 25Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC Код производителяSISA12ADN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
184.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISA12ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 25А; Idm: 80А; 18Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC Код производителяSISA14BDN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
193.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISA14BDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 58А; Idm: 130А; 29Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29нC Код производителяSISA14DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
131.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISA14DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 20А; Idm: 80А; 17Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,5нC Код производителяSISA18ADN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
150.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISA18ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30,6А; Idm: 70А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC Код производителяSISA24DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
240.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISA24DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А; Idm: 150А; 33Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж